據(jù)介紹，這是三星電子在世界上首次成功研發(fā)的30納米級2千兆字節(jié)DDR3DRAM內存芯片。30納米級別是指，半導體元件基板電路間的連線寬度為30納米，這與40納米或50納米級別相比，能在同樣的空間容納更多的電路。此外，生產效率比 40納米DRAM內存芯片率提高了60%;成本競爭力比50納米和60納米DRAM內存芯片提高了兩倍以上。

    DDR是1997年三星電子公司首推、并成為業(yè)界標準的技術，DRAM作為半導體記憶芯片，用于電腦等大容量存儲設備，而30納米級DDR3DRAM的數(shù)據(jù)處理速度最高達2133Mbps，處理速度分別比過去的DDR3DRAM和 DDR2DRAM提高1.6倍和3.5倍。

    同時，30納米級DDR3DRAM的設計符合大容量內存芯片，因此耗電量與50納米和40納米DRAM內存芯片相比，分別減少了30%和15%以上。

    三星電子有關負責人稱：“我們計劃憑借環(huán)保型內存芯片30納米級DDR3DRAM，給我們的顧客提供最佳解決方案。”

    三星還計劃在年內開始批量生產30納米級4千兆字節(jié)DDR3DRAM內存芯片，由此鞏固全球 30納米級DRAM市場上的領先地位。

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