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2010年第二季度半導(dǎo)體生產(chǎn)線整體開工點(diǎn)評(píng)
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http://m.china-zesir.com 發(fā)稿日期:2010-8-21
- 【搜索關(guān)鍵詞】：半導(dǎo)體行業(yè) 研究報(bào)告 投資策略 分析預(yù)測(cè) 市場(chǎng)調(diào)研 發(fā)展前景 決策咨詢 競(jìng)爭(zhēng)趨勢(shì)
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據(jù)了解,近日國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)(SICAS)2010年第二季度(4～6月)的半導(dǎo)體產(chǎn)能公布。雖然部分半導(dǎo)體廠商已經(jīng)開始了增產(chǎn)投資,但因老生產(chǎn)線廢棄,晶圓處理能力未能大幅提高。半導(dǎo)體整體的量產(chǎn)線開工率為YoY增18.6個(gè)百分點(diǎn),QoQ增2.1個(gè)百分點(diǎn),達(dá)到95.6％,MOS IC整體為YoY增17.1個(gè)百分點(diǎn),QoQ增長(zhǎng)2.5個(gè)百分點(diǎn),達(dá)到95.7％,均超過了95％。尤其是需求量較大的80nm以下工藝、300mm晶圓以及硅代工廠商的開工率更是達(dá)到了超過98％的“超滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)”狀態(tài)。
2010-2015年中國(guó)觸器產(chǎn)業(yè)深度調(diào)研及未來發(fā)展現(xiàn)狀 【出版日期】 2010年8月 【報(bào)告頁(yè)碼】 350頁(yè) 【圖表數(shù)量】 150個(gè)2010-2015年中國(guó)豆膽燈產(chǎn)業(yè)深度調(diào)研及未來發(fā)展現(xiàn) 【出版日期】 2010年8月 【報(bào)告頁(yè)碼】 350頁(yè) 【圖表數(shù)量】 150個(gè)2010-2015年中國(guó)轉(zhuǎn)角儀產(chǎn)業(yè)深度調(diào)研及未來發(fā)展現(xiàn) 【出版日期】 2010年8月 【報(bào)告頁(yè)碼】 350頁(yè) 【圖表數(shù)量】 150個(gè)2010-2015年中國(guó)鋁器皿產(chǎn)業(yè)深度調(diào)研及未來發(fā)展現(xiàn) 【出版日期】 2010年8月 【報(bào)告頁(yè)碼】 350頁(yè) 【圖表數(shù)量】 150個(gè)
晶圓處理能力方面,半導(dǎo)體整體為同比(YoY)減少0.2％,環(huán)比(QoQ)增長(zhǎng)0.6％,MOS IC整體為同比增長(zhǎng)0.1％,環(huán)比增長(zhǎng)0.6％,繼續(xù)持平。旨在從0.12～0.06μm生產(chǎn)線向0.06μm以下生產(chǎn)線過渡的細(xì)微化投資十分活躍,但是為擴(kuò)大晶圓處理能力的增產(chǎn)投資卻稍顯遜色:其沖抵了老生產(chǎn)線廢棄導(dǎo)致的晶圓處理能力下降。增產(chǎn)投資的實(shí)施,從半導(dǎo)體廠商的企業(yè)形態(tài)看,主要是硅代工廠商,從晶圓直徑來看,主要面向300mm晶圓進(jìn)行。而在硅代工廠商之外的垂直整合型半導(dǎo)體廠商(IDM)因進(jìn)行重組,廢棄了200mm以下的量產(chǎn)線。
晶圓的實(shí)際投入量方面,除部分特例外,均持續(xù)了YoY增20～30％、QoQ增近10％的增長(zhǎng)率。其中,從半導(dǎo)體廠商的企業(yè)形態(tài)來看,硅代工廠商的增長(zhǎng)率比較顯著,而從工藝技術(shù)來看,60nm以下工藝的增長(zhǎng)率較為顯著。硅代工廠商的投入量為YoY增67.8％,QoQ增10.6％,達(dá)到40萬(wàn)2200 片/周(以200mm晶圓換算,下同)。60nm以下工藝晶圓的投入量為QoQ增13.0％,達(dá)到78萬(wàn)500片/周。 - ■ 與【2010年第二季度半導(dǎo)體生產(chǎn)線整體開工點(diǎn)評(píng)】相關(guān)研究報(bào)告
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