韓國半導體產(chǎn)業(yè)是從上世紀60年代中期，利用海外資本從事晶體管封裝為起點發(fā)展起來的，這期間韓國盡管沒有專門的半導體產(chǎn)業(yè)扶持政策，僅是把半導體產(chǎn)業(yè)作為電子產(chǎn)業(yè)扶持政策的一個方面加以對待，但這造就了一批企業(yè)家創(chuàng)業(yè)，對促進民間資本向電子機械封裝生產(chǎn)集中分配資源起到了推動作用。

    韓國政府1982年發(fā)布的《半導體工業(yè)扶持計劃》和《半導體扶持具體計劃》明確提出，實現(xiàn)國內(nèi)民用消費電子產(chǎn)品需求和生產(chǎn)設(shè)備的進口替代策略，形成一個完整的國內(nèi)自給自足的半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標。但在80年代初期，韓國民間企業(yè)并沒有按照政府提出的產(chǎn)業(yè)方向發(fā)展，而是選擇了生產(chǎn)面向國外工業(yè)用的DRAM，通過引進國外新技術(shù)和設(shè)備，采用產(chǎn)品出口的戰(zhàn)略。

    結(jié)果，韓國以O(shè)EM形式實現(xiàn)了半導體全工序生產(chǎn)能力。到了80年代后期，“官民一體”的DRAM共同研發(fā)項目所形成的良性互動，則促進了韓國半導體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，DRAM的自主開發(fā)并形成初步的大規(guī)模生產(chǎn)能力。而隨著DRAM實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，韓國有了加入國際市場競爭的資本：通過品種多樣化，相應(yīng)發(fā)展起自己的設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)，提高了半導體生產(chǎn)技術(shù)的競爭能力。

    到了90年代，韓國確立了IT立國戰(zhàn)略方針，在研發(fā)、技術(shù)引進、建立經(jīng)濟特區(qū)等方面給予優(yōu)惠政策，而對半導體產(chǎn)業(yè)則特別實行了具有國際競爭力的優(yōu)惠政策。此外，在韓國政府重點擇優(yōu)扶植，促進大企業(yè)形成規(guī)模經(jīng)濟和國際競爭力背景下，韓國商工部根據(jù)企業(yè)業(yè)績等條件確定三星集團為綜合商社企業(yè)，在貿(mào)易行政、財政金融以及企業(yè)研發(fā)、設(shè)備投資等方面提供全面支持，這是今天的三星全方位形成國際領(lǐng)先水平的重要基礎(chǔ)。

    韓國DRAM產(chǎn)業(yè)的成功，是政府強力支持下的產(chǎn)學研聯(lián)盟成功案例。1986年10月，政府將4MDRAM列為國家項目，目標是到1989年開發(fā)出和規(guī)模生產(chǎn)4MDRAM，完全消除與日本公司的技術(shù)差距。為達此目標，韓國政府推動了韓國三大半導體制造商：三星、LG和現(xiàn)代結(jié)盟進行技術(shù)開發(fā)，并由一個政府研究所——電子與電信研究所(EM)，作為這三大廠商和6所大學的協(xié)調(diào)者。3年中(1986-1989)該R&D項目共投入了1.1億美元，而政府承擔了其中的57%研發(fā)經(jīng)費，遠超過其他國家的資金投入和政府在具體研發(fā)項目中介入的力度。

    政府這只推手給韓國DRAM帶來的變化是，當1983年韓國以64K產(chǎn)品進入DRAM領(lǐng)域時，技術(shù)上要落后美日4年時間。到1988年，三星在韓國三大企業(yè)中第一個宣布完成4MDRAM設(shè)計時，落后日本的時間已經(jīng)縮短到6個月。而到1992年的64M產(chǎn)品時，韓國則與日本DRAM廠商技術(shù)上實現(xiàn)了同步。從256MDRAM開始，韓國則完全處于全球領(lǐng)先水平，并持續(xù)擴大自己在DRAM領(lǐng)域技術(shù)開發(fā)速度上的優(yōu)勢。

    大公司戰(zhàn)略構(gòu)筑了韓國半導體產(chǎn)業(yè)的基石，而說到韓國半導體產(chǎn)業(yè)，就不得不提及三星

    成立于1969年三星電子，是三星集團在電子行業(yè)的核心企業(yè)，成立初期的主營業(yè)務(wù)是白色家電，后來將業(yè)務(wù)拓展到半導體及通信設(shè)備行業(yè)等，時至今日，三星已經(jīng)成為全球電子及半導體產(chǎn)品線最為齊全的公司。

    1974年12月，三星通過收購韓國半導體進入了半導體產(chǎn)業(yè)，這就是后來的三星電子富川半導體工廠。1983年9月，三星開始自建第一個Fab，并以6個月的驚人效率建成投入使用。1984年，三星決定在其Fab中建設(shè)第二條生產(chǎn)線以生產(chǎn)6寸晶圓DRAM。當時，即使是像英特爾、日立和NEC這些技術(shù)領(lǐng)先者，也只是在他們的fab試產(chǎn)6英寸的晶圓。

    由于DRAM價格周期性波動，以及支付專利使用費等多因素所致，到1986年，高速猛進的三星半導體累計虧損了3億美元。但這并未動搖三星在DRAM制造業(yè)中取得成功的決心，為此，三星不但沒有采取保守戰(zhàn)略暫停投入，反倒是分批追加投資并開始了面向1MDRAM的更高技術(shù)領(lǐng)域開發(fā)。

    1987年，三星在DRAM的投資終于取得了回報，所獲利潤完全抵消了所有累計的虧損。三星電子半導體事業(yè)部總裁李雨潤的心得是：“存儲業(yè)是這樣一個行業(yè)，如果你不能在過去進行適當?shù)耐顿Y，那么你也不可能在下一次行業(yè)興盛時賺到錢。你應(yīng)該在這次行業(yè)興盛期獲得利潤而將其再次投資以等待下一次行業(yè)的興盛期?！?

    陸郝安（AllenLu），國際半導體設(shè)備與材料協(xié)會(SEMI)全球副總裁、中國區(qū)總裁，兼任華美半導體協(xié)會上海聯(lián)誼會副主席。陸先生擁有美國弗吉尼亞大學固態(tài)物理學博士學位，在20多年半導體職業(yè)生涯中，涉足技術(shù)研發(fā)、商業(yè)經(jīng)營和企業(yè)管理等職，曾先后服務(wù)于英特爾、應(yīng)用材料等世界頂級半導體公司。