國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）揭牌 第三代半導(dǎo)體市場現(xiàn)狀

• 2021年11月22日 ZhouJiaLiang來源：互聯(lián)網(wǎng) 420 21
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國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(湖南)揭牌儀式在湖南長沙啟動。同日，中心多個(gè)共建單位簽約《國創(chuàng)湖南中心共建協(xié)議》，擬緊扣國家重大戰(zhàn)略和區(qū)域科技需求，聚焦共性技術(shù)和重大瓶頸，突破核心技術(shù)，支撐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中高端邁進(jìn)。

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(湖南)揭牌

近日，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(湖南)揭牌儀式在湖南長沙啟動。同日，中心多個(gè)共建單位簽約《國創(chuàng)湖南中心共建協(xié)議》，擬緊扣國家重大戰(zhàn)略和區(qū)域科技需求，聚焦共性技術(shù)和重大瓶頸，突破核心技術(shù)，支撐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中高端邁進(jìn)。按照計(jì)劃，到2025年，國創(chuàng)中心(湖南)擬帶動湖南第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年產(chǎn)值100億元，建立健全國產(chǎn)裝備設(shè)計(jì)、制造、驗(yàn)證成套標(biāo)準(zhǔn)體系。

據(jù)介紹，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。GaN是一種III/V直接帶隙半導(dǎo)體，通常用于微波射頻、電力電子和光電子三大領(lǐng)域。具體而言，微波射頻方向包含了5G通信、雷達(dá)預(yù)警、衛(wèi)星通訊等應(yīng)用;電力電子方向包括了智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)電子等應(yīng)用;光電子方向包括了LED、激光器、光電探測器等應(yīng)用。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告《2020-2025年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測研究報(bào)告》分析

碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料，也是典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料。先進(jìn)半導(dǎo)體材料是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的戰(zhàn)略高地。目前正在快速發(fā)展的第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AlN)、金剛石(C)等，主要面向新一代電力電子、微波射頻和光電子應(yīng)用，在新一代移動通信、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子、新一代顯示等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的戰(zhàn)略高地。

第三代半導(dǎo)體市場現(xiàn)狀

經(jīng)過近10年的發(fā)展，我國基本建立了以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料、工藝和裝備產(chǎn)業(yè)體系。該類材料緊密圍繞光電子、新能源、5G等熱點(diǎn)應(yīng)用，在未來5年內(nèi)將迎來產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的重要機(jī)遇。

業(yè)界普遍認(rèn)為，基于碳化硅材料本身的優(yōu)良特性，以其制成的功率器件在開關(guān)頻率、耐壓等級、高溫特性等方面具有突出優(yōu)勢，在新能源汽車、電力、工業(yè)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。尤其是2017年以來，隨著碳化硅主電驅(qū)模塊在特斯拉Model 3上得到成功應(yīng)用，加速推動了行業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)張、良率提升與成本下降，碳化硅器件在新能源汽車、光伏、工業(yè)電源等多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用滲透開始提速。

同時(shí)，國家“雙碳戰(zhàn)略”的提出，又進(jìn)一步加快碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。華為《數(shù)字能源2030》白皮書指出，隨著碳化硅材料和工藝的進(jìn)一步成熟，諸如SiC MOSFET這類高效功率半導(dǎo)體器件在軌道交通、工業(yè)電源、民用家電等領(lǐng)域的滲透率將快速提升，預(yù)計(jì)2030年，光伏逆變器的碳化硅滲透率將從目前2%增長到70%以上，在充電基礎(chǔ)設(shè)施、電動汽車領(lǐng)域滲透率會超過80%，同時(shí)在通信電源、服務(wù)器電源領(lǐng)域也將全面推廣應(yīng)用。

因三代半導(dǎo)體投資規(guī)模相對較低，產(chǎn)業(yè)鏈上游的材料及生產(chǎn)環(huán)節(jié)不再集中于一二線城市，而是全國遍地開花。數(shù)據(jù)顯示，2018-2020年，我國僅SiC項(xiàng)目政府投資達(dá)到32個(gè)，計(jì)劃投資金額超過700億。

在5G信息技術(shù)時(shí)代，第三代半導(dǎo)體迎來新發(fā)展機(jī)遇，新基建的實(shí)施助推第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入黃金窗口期，呈現(xiàn)一派發(fā)展好勢頭，有望逐步實(shí)現(xiàn)自主可控、安全可靠的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)體系，與第一代、第二代半導(dǎo)體優(yōu)勢互補(bǔ)、協(xié)同支撐新一代信息技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展，支撐中國新時(shí)期社會經(jīng)濟(jì)的高質(zhì)量發(fā)展。

想要了解更多第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展前景，請查閱《2020-2025年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測研究報(bào)告》。

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