歐盟DMA將六大科技巨頭列入“看門人”名單

• 劉明月 2023年9月7日 來源：中研研究院 998 63
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根據(jù)《數(shù)字市場法案》(DMA)，歐盟委員會周三將Alphabet、亞馬遜、蘋果、Meta、微軟和字節(jié)跳動六家科技巨頭22項服務(wù)列為“看門人”，這是歐盟對大型科技公司的最新監(jiān)管打擊。

歐盟DMA將六大科技巨頭列入“看門人”名單

根據(jù)《數(shù)字市場法案》(DMA)，歐盟委員會周三將Alphabet、亞馬遜、蘋果、Meta、微軟和字節(jié)跳動六家科技巨頭22項服務(wù)列為“看門人”，這是歐盟對大型科技公司的最新監(jiān)管打擊。

按公司來看，其中包括：

Alphabet：谷歌地圖、谷歌Play、谷歌購物、谷歌搜索、Youtube、Chrome、安卓操作系統(tǒng)、谷歌廣告;

亞馬遜：Marketplace、亞馬遜廣告;

蘋果：App Store、iOS操作系統(tǒng)、Safari瀏覽器;

字節(jié)跳動：TikTok;

Meta：Facebook、Instagram、Messenger、Marketplace、WhatsApp、Meta廣告;

微軟：LinkedIn、Windows。

歐盟委員會還認為，盡管Gmail、Outlook和三星互聯(lián)網(wǎng)瀏覽器達到了法案規(guī)定的“看門人”資格門檻，但Alphabet、微軟和三星提供了充分合理的論據(jù)，表明這些服務(wù)不符合“看門人”的資格。因此，歐盟委員會決定不將Gmail、Outlook和三星互聯(lián)網(wǎng)瀏覽器指定為核心平臺服務(wù)。三星并未被指定為任何核心平臺服務(wù)的“看門人”。

被列入“看門人”名單的公司有六個月的時間來遵守DMA規(guī)定的義務(wù)，或者向歐盟法院提出挑戰(zhàn)。但是，自指定之日起，有些義務(wù)將開始適用，被指定的公司必須確保并證明合規(guī)。

長江存儲從NAND Flash存儲芯片領(lǐng)域不斷追趕的角色，目前已成為存儲行業(yè)龍頭，2021年其在NAND閃存領(lǐng)域的全球市占率已達到4%，在國內(nèi)僅次于三星、SK海力士和美光科技等競爭對手。據(jù)去年9月的一份文件引述高榕資本2021年的投資意向信息顯示，長江存儲投前估值達1600億元。

最近一年，長江存儲深受美國半導(dǎo)體出口管制措施影響。今年2月末，國家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)顯示，長江存儲新增股東包括國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司(簡稱“國家大基金二期”)、湖北長晟發(fā)展有限責(zé)任公司等。其中，國家大基金二期認繳出資額為128.87億元，整個公司注冊資金從562.75億元增至1052.70億元，而長江存儲已不再是紫光集團控股公司。新資金將幫助長江存儲應(yīng)對出口限制以及存儲芯片行業(yè)低迷影響。

根據(jù)中研普華研究院出版的《2023-2028年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告》顯示：

中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析

存儲芯片市場的發(fā)展依賴于技術(shù)的進步，存儲芯片的技術(shù)正在不斷提高和更新，以滿足新興行業(yè)對高性能、高可靠性、低功耗的需求，從而推動市場的發(fā)展。

從存儲芯片行業(yè)供需來看，受行業(yè)景氣度影響，行業(yè)整體面臨存儲芯片單位價格的快速下降，行業(yè)內(nèi)企業(yè)均存在大額計提存貨跌價進而影響利潤情形。而根據(jù)近期市場觀察，國內(nèi)外廠商如長江存儲、三星、SK海力士等已經(jīng)在NAND價格方面做出了提升動作，試圖逆轉(zhuǎn)長達13個月的價格下行趨勢。盡管存儲廠商23年一季度庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)環(huán)比下降，存儲器價格跌幅明顯趨緩，市場對于庫存拐點的期待也在不斷升溫。

存儲芯片是電子系統(tǒng)當(dāng)中負責(zé)數(shù)據(jù)存儲的核心單元，幾乎所有的設(shè)備都需要搭載，占據(jù)了全球芯片出貨量的1/3。存儲芯片可以大致分為DRAM芯片(內(nèi)存)和NAND Flash(閃存)兩個方向：在DRAM領(lǐng)域，三星、海力士、美光吃下了前者市場95%的份額。在NAND Flash領(lǐng)域，三星、海力士、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光群雄割據(jù)，占據(jù)了九成市場。

此外，市場研究機構(gòu)還指出，中國存儲芯片市場的發(fā)展受到近年來政府政策支持，政府大力支持發(fā)展新興技術(shù)，以促進中國存儲芯片行業(yè)的發(fā)展。此外，隨著技術(shù)的發(fā)展和投資者的投入，存儲芯片的應(yīng)用范圍也在不斷擴大，對存儲芯片的需求也在不斷增加

基于三維阻變存儲器存內(nèi)計算宏芯片

中科院微電子研究所劉明院士、張鋒研究員團隊和北理工王興華副教授團隊合作研發(fā)了基于三維阻變存儲器存內(nèi)計算宏芯片?？蒲腥藛T將多值自選通(Multi-level self-selective，MLSS)三維垂直阻變存儲器與抗漂移多位模擬輸入權(quán)值乘(ADINWM)方案相結(jié)合，實現(xiàn)了高密度計算;在抗漂移多位模擬輸入權(quán)值乘方案基礎(chǔ)上提出了電流幅值離散整形(CADS)電路用于增加讀出電流的感知容限(SM)用于后續(xù)精確的模擬乘法計算，解決了由于三維阻變存儲器陣列單元電導(dǎo)波動引起的在傳統(tǒng)并行字線輸入原位乘累加方案下不可恢復(fù)的讀出電流失真;采用nA級操作電流的三維垂直阻變存儲器陣列降低系統(tǒng)功耗，同時引入具有柵預(yù)充電開關(guān)跟隨器(GPSF)的模擬乘法器與直接小電流模數(shù)轉(zhuǎn)換器降低延時。當(dāng)輸入、權(quán)重和輸出數(shù)據(jù)分別為8位、9位和22位時，位密度為58.2 bit/μm–2，能效為8.32 TOPS/W。與傳統(tǒng)方法相比，本工作提供了更準確的大腦MRI邊緣檢測和更高的CIFAR-10數(shù)據(jù)集推理精度。該成果于2022年7月26日發(fā)表在《自然?電子》(Nature Electronics)雜志上。

存儲芯片行業(yè)報告同時揭示了市場潛在需求與潛在機會，為戰(zhàn)略投資者選擇恰當(dāng)?shù)耐顿Y時機和公司領(lǐng)導(dǎo)層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準確的存儲芯片市場情報信息及科學(xué)的決策依據(jù)，同時對政府部門也具有極大的參考價值。還重點分析了重點企業(yè)的經(jīng)營現(xiàn)狀及發(fā)展格局，并對未來幾年存儲芯片行業(yè)的發(fā)展趨向進行了專業(yè)的預(yù)判。

更多存儲芯片行業(yè)相關(guān)消息，請點擊查看中研普華研究院出版的《2023-2028年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告》。

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