2022年中國IGBT市場現(xiàn)狀分析 全球IGBT行業(yè)發(fā)展向好

• 陳澤芳 2022年12月9日 來源：中研普華 互聯(lián)網(wǎng) 937 58
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當下IGBT國產(chǎn)化率還是很低的，2019年只有12%，據(jù)說2022年可能會突破30%，國產(chǎn)替代的空間是相當大的。國產(chǎn)廠商目前鉚足了勁擴產(chǎn)，憑借性價比、本土供應鏈便利性是很有可能趁機擴大市場份額的。從我國IGBT應用結構情況來看，工業(yè)控制、新能源汽車、新能源發(fā)電已然是IGBT

從20世紀80年代至今，IGBT芯片經(jīng)歷了6代升級，從平面穿通型到溝槽型電場到截止型，芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標經(jīng)歷了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電壓也從600V提高到了6500V以上。IGBT是誕生于20世紀80年代的功率半導體分立器件，進入工業(yè)應用時間較晚，雖然目前占整體功率半導體分立器件市場份額較小，但它代表了未來的發(fā)展方向，市場規(guī)模增長很快。其中IGBT7作為最新一代技術，其溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設計，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實現(xiàn)5kv/us下的最佳開關性能。

隨著近年來全球IGBT行業(yè)發(fā)展向好，其市場規(guī)模也隨之逐年遞增。據(jù)資料顯示，2021年全球IGBT市場規(guī)模約為70.9億美元，同比增長6.6%。2021年我國IGBT產(chǎn)量為2580萬只，同比增長27.7%;需求量為13200萬只，同比增長20%。

當下IGBT國產(chǎn)化率還是很低的，2019年只有12%，據(jù)說2022年可能會突破30%，國產(chǎn)替代的空間是相當大的。國產(chǎn)廠商目前鉚足了勁擴產(chǎn)，憑借性價比、本土供應鏈便利性是很有可能趁機擴大市場份額的。從我國IGBT應用結構情況來看，工業(yè)控制、新能源汽車、新能源發(fā)電已然是IGBT主要的應用領域。其中新能源汽車占比約為31%，工業(yè)控制占比約為20%，新能源發(fā)電占比約為11%。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國IGBT市場現(xiàn)狀分析及發(fā)展前景預測報告》顯示：

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由(Bipolar Junction Transistor，BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(Metal Oxide Semiconductor，MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(Giant Transistor，GTR)的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領域。在工業(yè)應用方面，如交通控制、功率變換、工業(yè)電機、不間斷電源、風電與太陽能設備，以及用于自動控制的變頻器。在消費電子方面，IGBT用于家用電器、相機和手機。

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  2022-2027年中國IGBT市場現(xiàn)狀分析及發(fā)展前景預測報告

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