5G通訊手機(jī)和模塊市場(chǎng)將促發(fā)射頻器件需求大幅增長(zhǎng) 我國(guó)射頻芯片產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀分析

• 黃婷 2024年1月18日 來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 554 30
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射頻芯片指的就是將無(wú)線電信號(hào)通信轉(zhuǎn)換成一定的無(wú)線電信號(hào)波形，并通過(guò)天線諧振發(fā)送出去的一個(gè)電子元器件，它包括功率放大器、低噪聲放大器和天線開(kāi)關(guān)。射頻芯片架構(gòu)包括接收通道和發(fā)射通道兩大部分。

射頻芯片指的就是將無(wú)線電信號(hào)通信轉(zhuǎn)換成一定的無(wú)線電信號(hào)波形，并通過(guò)天線諧振發(fā)送出去的一個(gè)電子元器件，它包括功率放大器、低噪聲放大器和天線開(kāi)關(guān)。射頻芯片架構(gòu)包括接收通道和發(fā)射通道兩大部分。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院《2024-2029年中國(guó)射頻芯片行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研與競(jìng)爭(zhēng)預(yù)測(cè)報(bào)告》分析：

在射頻芯片領(lǐng)域，市場(chǎng)主要被海外巨頭所壟斷，海外的主要公司有Qorvo，skyworks和Broadcom;國(guó)內(nèi)射頻芯片方面，沒(méi)有公司能夠獨(dú)立支撐IDM的運(yùn)營(yíng)模式，主要為Fabless設(shè)計(jì)類(lèi)公司;國(guó)內(nèi)企業(yè)通過(guò)設(shè)計(jì)、代工、封裝環(huán)節(jié)的協(xié)同，形成了“軟IDM”的運(yùn)營(yíng)模式。射頻芯片設(shè)計(jì)方面，國(guó)內(nèi)公司在5G芯片已經(jīng)有所成績(jī)，具有一定的出貨能力。射頻芯片設(shè)計(jì)具有較高的門(mén)檻，具備射頻開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)后，可以加速后續(xù)高級(jí)品類(lèi)射頻芯片的開(kāi)發(fā)。目前，具備射頻芯片設(shè)計(jì)的公司有紫光展銳、唯捷創(chuàng)芯、中普微、中興通訊、雷柏科技、華虹設(shè)計(jì)、江蘇鉅芯、愛(ài)斯泰克等。

射頻芯片代工方面，臺(tái)灣已經(jīng)成為全球最大的化合物半導(dǎo)體芯片代工廠，臺(tái)灣主要的代工廠有穩(wěn)懋、宏捷科和寰宇，國(guó)內(nèi)僅有三安光電和海威華芯開(kāi)始涉足化合物半導(dǎo)體代工。三安光電是國(guó)內(nèi)目前國(guó)內(nèi)布局最為完善，具有GaAs HBT/pHEMT和GaNSBD/FET工藝布局，目前在于國(guó)內(nèi)200多家企事業(yè)單位進(jìn)行合作，有10多種芯片通過(guò)性能驗(yàn)證，即將量產(chǎn)。海威華芯為海特高新控股的子公司，與中國(guó)電科29所合資，目前具有GaAs0.25umPHEMT工藝制程能力。射頻芯片封裝方面，5G射頻芯片一方面頻率升高導(dǎo)致電路中連接線的對(duì)電路性能影響更大，封裝時(shí)需要減小信號(hào)連接線的長(zhǎng)度;另一方面需要把功率放大器、低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和濾波器封裝成為一個(gè)模塊，一方面減小體積另一方面方便下游終端廠商使用。為了減小射頻參數(shù)的寄生需要采用Flip-Chip、Fan-In和Fan-Out封裝技術(shù)。

射頻芯片的主要作用是收/發(fā)射頻，它能夠?qū)o(wú)線通信基帶信號(hào)轉(zhuǎn)換成一定的無(wú)線電射頻信號(hào)波形，并通過(guò)天線諧振發(fā)送出去。射頻芯片設(shè)計(jì)面臨的難題非常多，第一個(gè)方面是設(shè)計(jì)者理論及經(jīng)驗(yàn)方面的主觀因素。因?yàn)樯漕l芯片不僅僅是技術(shù)問(wèn)題，多天線，多通道、各種頻率的組合，并通過(guò)天線處理實(shí)現(xiàn)更大的數(shù)據(jù)吞吐量，中間還有經(jīng)驗(yàn)值。

我國(guó)射頻芯片產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀分析

射頻前端的發(fā)展自始至終圍繞著基帶芯片的進(jìn)步，從4G時(shí)代開(kāi)始，高通推出MDM9615“五模十頻”基帶使得一部手機(jī)可以在全球幾乎任何網(wǎng)絡(luò)中使用，從而促進(jìn)了射頻龍頭廠商推出集成化度更高的射頻前端產(chǎn)品，這一趨勢(shì)在5G時(shí)代得到了延續(xù);從2G到5G，射頻前端經(jīng)歷了從分立器件到FEMiD，再到PAMiD的演變，整個(gè)射頻前端的集成化趨勢(shì)愈加明顯。

隨著4G逐漸普及，智能手機(jī)中天線和射頻通路的數(shù)量增多，對(duì)射頻低噪聲放大器的數(shù)量需求迅速增加，因此預(yù)計(jì)在未來(lái)幾年將持續(xù)增長(zhǎng)。5G通訊手機(jī)和模塊市場(chǎng)將促發(fā)射頻器件需求大幅增長(zhǎng)。5G通訊基站市場(chǎng)相對(duì)4G時(shí)代，射頻器件的需求也是成倍增加。

Wi-Fi路由器市場(chǎng)，在5G時(shí)代，射頻器件的需求存在一定的不確定性。所以，未來(lái)射頻器件最重要的市場(chǎng)需求來(lái)自：手機(jī)和通訊模塊市場(chǎng)，NB-IoT市場(chǎng)。到2023年射頻前端市場(chǎng)規(guī)模有望突破352億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到14%，手機(jī)射頻前端市場(chǎng)占據(jù)其中八成以上。5G到來(lái)是機(jī)會(huì)，也可能會(huì)拉大國(guó)內(nèi)射頻公司與國(guó)際射頻公司的差距。國(guó)內(nèi)射頻公司都還弱小，研發(fā)能力和資金都很有限，射頻前端模組提高了研發(fā)門(mén)檻。

隨著5G等通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，對(duì)射頻前端器件的需求激增。市場(chǎng)分析人士指出，智能手機(jī)市場(chǎng)有望迎來(lái)持續(xù)下行周期后的見(jiàn)底復(fù)蘇，未來(lái)國(guó)內(nèi)優(yōu)質(zhì)射頻廠商有望擴(kuò)大市場(chǎng)份額，成長(zhǎng)空間廣闊。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2021年射頻前端的市場(chǎng)為190億美元以上，預(yù)計(jì)到2028年射頻前端的市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率約為5.8%，將達(dá)到269億美元。

根據(jù)美國(guó)數(shù)據(jù)公司QY Research的統(tǒng)計(jì)，2016年-2021年,全球射頻前端市場(chǎng)規(guī)模從125.67億美元增長(zhǎng)至204.59億美元，預(yù)計(jì)至2027年，市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)370.27億美元，2021至 2027 年的復(fù)合增長(zhǎng)率為10.39%。此外，通信技術(shù)的變革也是推動(dòng)射頻前端需求增長(zhǎng)的一個(gè)關(guān)鍵因素。例如，在移動(dòng)終端從4G向5G演進(jìn)的過(guò)程中，射頻前端產(chǎn)品復(fù)雜度提升，器件數(shù)量大幅增加。

射頻前端主要核心器件主要包括功率放大器(PA)、濾波器(Filter)、低噪聲放大器(LNA)和開(kāi)關(guān)(switch)等。而射頻前端模組則是將兩種或者兩種以上射頻器件集成為一顆模組，從而提高集成度與性能并使體積小型化。

5G支持頻段成倍增加，導(dǎo)致模組從4G時(shí)代的3-5個(gè)上升到5-9個(gè)。PA模組、濾波器和開(kāi)關(guān)的單機(jī)需求量翻倍，單機(jī)價(jià)值量也由此從均價(jià)11.78美元上升至35.25美元，漲幅近200%。根據(jù)YOLE的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018年全球射頻前端模塊消費(fèi)量為96億個(gè)，預(yù)計(jì)未來(lái)隨著5G的不斷發(fā)展，2023年全球消費(fèi)量將增長(zhǎng)至135億個(gè)。

隨著通信技術(shù)從4G向5G演進(jìn)，除智能手機(jī)外，5G通信將更為廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、汽車(chē)、醫(yī)療、軍工等領(lǐng)域，5G通信技術(shù)是實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物互聯(lián)、智能革命的基礎(chǔ)性技術(shù)，將賦能和改造各行各業(yè)，催生出新一輪的產(chǎn)業(yè)升級(jí)和產(chǎn)業(yè)革命。

由于慧智微所處的射頻前端芯片設(shè)計(jì)行業(yè)具有技術(shù)壁壘高、研發(fā)周期長(zhǎng)、研發(fā)投入大等特點(diǎn)，為保證技術(shù)前瞻性、領(lǐng)先性和產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，慧智微始以技術(shù)創(chuàng)新作為驅(qū)動(dòng)力，積極加大研發(fā)投入。

想要了解更多中國(guó)射頻芯片行業(yè)詳情分析，可以點(diǎn)擊查看中研普華研究報(bào)告《2024-2029年中國(guó)射頻芯片行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研與競(jìng)爭(zhēng)預(yù)測(cè)報(bào)告》。

本研究咨詢(xún)報(bào)告由中研普華咨詢(xún)公司領(lǐng)銜撰寫(xiě)，在大量周密的市場(chǎng)調(diào)研基礎(chǔ)上，主要依據(jù)了國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、國(guó)家商務(wù)部、國(guó)家發(fā)改委、國(guó)家經(jīng)濟(jì)信息中心、國(guó)務(wù)院發(fā)展研究中心、工信部、中國(guó)行業(yè)研究網(wǎng)、全國(guó)及海外多種相關(guān)報(bào)紙雜志的基礎(chǔ)信息等公布和提供的大量資料和數(shù)據(jù)，客觀、多角度地對(duì)中國(guó)射頻芯片市場(chǎng)進(jìn)行了分析研究。報(bào)告在總結(jié)中國(guó)射頻芯片發(fā)展歷程的基礎(chǔ)上，結(jié)合新時(shí)期的各方面因素，對(duì)中國(guó)射頻芯片的發(fā)展趨勢(shì)給予了細(xì)致和審慎的預(yù)測(cè)論證。報(bào)告資料詳實(shí)，圖表豐富，既有深入的分析，又有直觀的比較，為射頻芯片企業(yè)在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中洞察先機(jī)，能準(zhǔn)確及時(shí)的針對(duì)自身環(huán)境調(diào)整經(jīng)營(yíng)策略。

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  2024-2029年中國(guó)射頻芯片行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研與競(jìng)爭(zhēng)預(yù)測(cè)報(bào)告

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