兆易創(chuàng)新10萬(wàn)次壽命38nm閃存量產(chǎn) 全球閃存廠商產(chǎn)量缺口及價(jià)格上漲趨勢(shì)分析

• 2022年2月22日 HuangJiang來(lái)源：新浪 849 52
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兆易創(chuàng)新表示，該系列包含 GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6產(chǎn)品，覆蓋1Gb-4Gb容量，從設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造到封裝測(cè)試所有環(huán)節(jié)，均采用國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈。

兆易創(chuàng)新10萬(wàn)次壽命38nm閃存量產(chǎn)

2月22日，兆易創(chuàng)新通過(guò)官方公眾號(hào)宣布，旗下全國(guó)產(chǎn)化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通過(guò)AEC-Q100車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證。兆易創(chuàng)新表示，該閃存系列包含 GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6產(chǎn)品，覆蓋1Gb-4Gb容量，從設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造到封裝測(cè)試所有環(huán)節(jié)，均采用國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈。

該閃存產(chǎn)品極大程度上填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)大容量車(chē)用存儲(chǔ)器的空白，全面進(jìn)入汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域，并且兆易創(chuàng)新?lián)碛袕?qiáng)大的本地化支持和快速的客戶(hù)響應(yīng)能力，加速助力汽車(chē)應(yīng)用的國(guó)產(chǎn)化。

目前，兆易創(chuàng)新GD5F全系列SPINAND Flash 均已通過(guò)AEC-Q100車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，并且在其久經(jīng)驗(yàn)證的車(chē)規(guī)級(jí)GD25 SPI NOR Flash基礎(chǔ)上形成了有效的擴(kuò)展。

在Flash存儲(chǔ)器領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新已實(shí)現(xiàn)從SPI NOR Flash 到SPI NAND Flash的車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品的全面布局，為車(chē)載應(yīng)用的國(guó)產(chǎn)化提供豐富多樣的選擇，兆易創(chuàng)新GD5F SPI NAND Flash 和GD25 SPI NOR Flash車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品均已量產(chǎn)。

根據(jù)中研普華出版的《2022-2026年閃存卡企業(yè)創(chuàng)業(yè)板IPO上市工作咨詢(xún)指導(dǎo)報(bào)告》顯示：

NAND Flash大廠西部數(shù)據(jù)、鎧俠2月10日表示，旗下位于日本四日市、北上兩座廠房產(chǎn)能受到原料污染影響，導(dǎo)致工廠停工。西部數(shù)據(jù)在公告中表示，預(yù)計(jì)受影響的閃存芯片產(chǎn)量“至少6.5艾字節(jié)”。Wells Fargo的分析師表示，這意味著停工帶來(lái)的產(chǎn)量總?cè)笨诩s為16EB，而這相當(dāng)于閃存芯片市場(chǎng)一個(gè)季度10%的消費(fèi)量。(注：1EB=10億GB)

閃存企業(yè)產(chǎn)量缺口及價(jià)格上漲趨勢(shì)分析

這次污染事件只會(huì)加劇供應(yīng)短缺和組件價(jià)格上漲趨勢(shì)。兩家公司全球NAND晶片市占總和高達(dá)32%以上，直逼龍頭三星，相關(guān)事件引發(fā)市場(chǎng)恐慌，傳出群聯(lián)第一時(shí)間調(diào)漲模組報(bào)價(jià)15%，其他廠商則暫停報(bào)價(jià)。

據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)統(tǒng)計(jì)，2021年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)相比2020年增長(zhǎng)25.6%，這是自2010年以來(lái)最大的增長(zhǎng)，使得2021年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到5530億美元。整體半導(dǎo)體市場(chǎng)并沒(méi)有受到疫情的負(fù)面影響，消費(fèi)市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求推動(dòng)了半導(dǎo)體主要類(lèi)別普遍超過(guò)10%的增長(zhǎng)，其中存儲(chǔ)器增長(zhǎng)高達(dá)34.6%，規(guī)模達(dá)到1581.61億美元。

2022年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)8.8%，達(dá)到6014.9億美元。存儲(chǔ)器類(lèi)別的增長(zhǎng)為8.5%，規(guī)模達(dá)到1716.82億美元，占整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的28.5%。

2022年DRAM市場(chǎng)將由供不應(yīng)求轉(zhuǎn)至供過(guò)于求。盡管DRAM價(jià)格將出現(xiàn)下滑，但在寡占市場(chǎng)型態(tài)下，整體產(chǎn)值并不會(huì)大幅下跌，預(yù)估2022年DRAM總產(chǎn)值將達(dá)915.4億美元，年增微幅上升0.3%。NAND Flash方面，2022年NAND Flash價(jià)格也將受供過(guò)于求影響而有所下滑。由于NAND Flash屬完全競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)，均價(jià)下滑的幅度較DRAM更加明顯。然而，NAND Flash在層數(shù)結(jié)構(gòu)的堆棧持續(xù)推進(jìn)，供給容量增長(zhǎng)仍維持在30%以上，預(yù)估2022年NAND Flash總產(chǎn)值仍有成長(zhǎng)空間，達(dá)741.9億美元，年增7.4%。

未來(lái)閃存卡行業(yè)市場(chǎng)投資前景如何?想要了解更多行業(yè)詳情分析，可以點(diǎn)擊查看中研普華研究報(bào)告《2022-2026年閃存卡企業(yè)創(chuàng)業(yè)板IPO上市工作咨詢(xún)指導(dǎo)報(bào)告》。報(bào)告對(duì)行業(yè)相關(guān)各種因素進(jìn)行具體調(diào)查、研究、分析，洞察行業(yè)今后的發(fā)展方向、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局的演變趨勢(shì)以及技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)、市場(chǎng)規(guī)模、潛在問(wèn)題與行業(yè)發(fā)展的癥結(jié)所在，評(píng)估行業(yè)投資價(jià)值、效果效益程度，提出建設(shè)性意見(jiàn)建議，為行業(yè)投資決策者和企業(yè)經(jīng)營(yíng)者提供參考依據(jù)。

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