存儲(chǔ)芯片下行周期有望見(jiàn)底 A股上市公司加速布局 機(jī)構(gòu)：三季度存儲(chǔ)芯片平均單價(jià)有望上漲5%-10%

• 曾燕 2023年9月9日 來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 344 15
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近期，存儲(chǔ)芯片大廠(chǎng)三星、SK海力士、美光公司等陸續(xù)控制產(chǎn)能、醞釀提價(jià)，受到業(yè)界關(guān)注。對(duì)此，多位業(yè)內(nèi)人士表示，存儲(chǔ)芯片價(jià)格下行周期一般為1年至2年，本輪存儲(chǔ)芯片價(jià)格下行自2021年年中開(kāi)始，結(jié)合各大廠(chǎng)自去年下半年起陸續(xù)下調(diào)產(chǎn)能計(jì)劃，存儲(chǔ)芯片下行周期逐漸走向尾聲

存儲(chǔ)芯片下行周期有望見(jiàn)底 A股上市公司加速布局

近期，存儲(chǔ)芯片大廠(chǎng)三星、SK海力士、美光公司等陸續(xù)控制產(chǎn)能、醞釀提價(jià)，受到業(yè)界關(guān)注。對(duì)此，多位業(yè)內(nèi)人士表示，存儲(chǔ)芯片價(jià)格下行周期一般為1年至2年，本輪存儲(chǔ)芯片價(jià)格下行自2021年年中開(kāi)始，結(jié)合各大廠(chǎng)自去年下半年起陸續(xù)下調(diào)產(chǎn)能計(jì)劃，存儲(chǔ)芯片下行周期逐漸走向尾聲。信息技術(shù)高速發(fā)展帶來(lái)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求不斷增長(zhǎng)，未來(lái)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)空間廣闊，在行業(yè)周期觸底之際，A股上市公司競(jìng)相布局存儲(chǔ)芯片賽道。一方面，加快技術(shù)升級(jí)提升競(jìng)爭(zhēng)力，另一方面，積極開(kāi)拓市場(chǎng)增加市場(chǎng)份額，緊抓行業(yè)復(fù)蘇機(jī)遇。

上市公司加速拓展市場(chǎng)

目前全球主要的NAND Flash廠(chǎng)商為三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、SK海力士等，DRAM主要廠(chǎng)商為三星、SK海力士等。我國(guó)存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商目前所占市場(chǎng)份額較低。在全球存儲(chǔ)芯片周期低谷之中，多家A股上市公司逆勢(shì)布局，通過(guò)并購(gòu)、定增等提升競(jìng)爭(zhēng)力。

9月6日，江波龍披露擬購(gòu)買(mǎi)力成科技(蘇州)有限公司70%股權(quán)事項(xiàng)進(jìn)展。本次交易完成后，江波龍將通過(guò)控制及實(shí)際運(yùn)營(yíng)力成科技(蘇州)有限公司新增存儲(chǔ)芯片封裝測(cè)試等業(yè)務(wù)，補(bǔ)足公司封裝測(cè)試的生產(chǎn)能力，完善產(chǎn)業(yè)鏈布局。今年6月份，江波龍還宣布擬購(gòu)買(mǎi)SMART Brazil及其子公司81%股權(quán)，進(jìn)一步拓展當(dāng)?shù)厥袌?chǎng)。

江波龍近日在業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上表示：“今年上半年公司業(yè)績(jī)有所承壓，但實(shí)際上從全球市場(chǎng)份額來(lái)看，公司市占率反而有所提升。未來(lái)，公司將聚焦于存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，不斷提升公司的市場(chǎng)影響力和核心競(jìng)爭(zhēng)力，進(jìn)一步提升經(jīng)營(yíng)管理水平，增強(qiáng)公司的長(zhǎng)期盈利能力?！?/p>

今年7月份，佰維存儲(chǔ)披露定增預(yù)案，擬募資不超過(guò)45億元，用于惠州佰維先進(jìn)封測(cè)及存儲(chǔ)器制造基地?cái)U(kuò)產(chǎn)建設(shè)項(xiàng)目、晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)制造項(xiàng)目、研發(fā)中心升級(jí)建設(shè)項(xiàng)目、補(bǔ)充流動(dòng)資金。

佰維存儲(chǔ)方面表示：“本次定增將提升公司的存儲(chǔ)器封測(cè)產(chǎn)能并構(gòu)建晶圓級(jí)封測(cè)能力。當(dāng)前，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈屬于發(fā)展初期，挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存，公司此次定增有助于把握行業(yè)發(fā)展的歷史性機(jī)遇?！?/p>

深科技方面近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示：“公司認(rèn)為隨著先進(jìn)封裝技術(shù)壁壘不斷提高，率先擁有先進(jìn)封裝技術(shù)和產(chǎn)能儲(chǔ)備的封測(cè)企業(yè)將有望通過(guò)技術(shù)和規(guī)模壁壘取得行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。在存儲(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司將緊跟存儲(chǔ)半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)和國(guó)內(nèi)外客戶(hù)需求，繼續(xù)加快擴(kuò)充優(yōu)質(zhì)產(chǎn)能，通過(guò)優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)發(fā)展新業(yè)務(wù)，進(jìn)一步拓寬業(yè)務(wù)布局?！?/p>

據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院出版的《2023-2028年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析及發(fā)展預(yù)測(cè)報(bào)告》統(tǒng)計(jì)分析顯示：

HBM" 救場(chǎng) " 存儲(chǔ)芯片巨頭財(cái)報(bào)，三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)所在 DS 部門(mén)二季度虧損收窄，SK 海力士二季度銷(xiāo)售額超出分析師預(yù)期，公司表示，生成式AI 市場(chǎng)的擴(kuò)張已迅速推高了對(duì) AI 服務(wù)器內(nèi)存的需求，因此，HBM3 和 DDR5 等高端產(chǎn)品的銷(xiāo)量增加。

美光科技此前曾表示，AI 服務(wù)器對(duì) DRAM 和 NAND 的容量需求分別是常規(guī)服務(wù)器的 8 倍和 3 倍。存儲(chǔ)芯片按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為易失性存儲(chǔ)芯片和非易失性存儲(chǔ)芯片。易失性存儲(chǔ)芯片常見(jiàn)的是 DRAM，非易失性存儲(chǔ)芯片常見(jiàn)的是 NAND 閃存芯片和 NOR 閃存芯片。

存儲(chǔ)芯片往往被作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)，呈現(xiàn)出較強(qiáng)的周期性，行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大，在景氣度高漲時(shí)，各廠(chǎng)商擴(kuò)大產(chǎn)能以增加收入，易導(dǎo)致供應(yīng)過(guò)剩，而在景氣度下降時(shí)則收縮產(chǎn)能、降價(jià)清理庫(kù)存，最終導(dǎo)致市場(chǎng)供不應(yīng)求。

半導(dǎo)體需求及價(jià)格持續(xù)滑落，造成南韓半導(dǎo)體大廠(chǎng)滿(mǎn)手庫(kù)存，據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，三星電子、SK海力士和東部高科，截至2023年第一季度末，半導(dǎo)體庫(kù)存總額已接近50兆韓元，創(chuàng)下有統(tǒng)計(jì)以來(lái)最高庫(kù)存金額歷史紀(jì)錄。

產(chǎn)業(yè)市況低迷，對(duì)三星電子和SK海力士?jī)纱髲S(chǎng)商影響明顯，三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的營(yíng)收，連續(xù)三個(gè)季度季比及年比大幅下滑;SK海力士的營(yíng)收也是連續(xù)三個(gè)季度季比及年比皆大幅下滑，去年四季度和今年一季度更出現(xiàn)了虧損。

根據(jù)芯片資深從業(yè)人員透露，三星電子已經(jīng)通知了它的分銷(xiāo)商，將不再以低于當(dāng)前價(jià)格出售DRAM芯片。

三星作為內(nèi)存龍頭企業(yè)，它的DRAM價(jià)格如果可以停止下跌，那其它廠(chǎng)商大概率會(huì)效仿，比方說(shuō)：中國(guó)龍頭企業(yè)的顆粒報(bào)價(jià)已經(jīng)從上周開(kāi)始抬升。當(dāng)龍頭企業(yè)的價(jià)格已停止下跌時(shí)，或許還會(huì)有更多的廠(chǎng)商會(huì)效仿，那么現(xiàn)貨價(jià)格或許很快就能起穩(wěn)，那漲價(jià)也是大概率事件。

存儲(chǔ)芯片根據(jù)其性質(zhì)可劃分為不同的類(lèi)型。按照掉電后數(shù)據(jù)是否可以繼續(xù)保存在器件內(nèi)，存儲(chǔ)芯片可分為：掉電易失和掉電非易失兩種。

易失存儲(chǔ)芯片主要包含：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。像這次三星價(jià)格反彈的芯片，也就是這個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)。

非易失性存儲(chǔ)器主要包括：可編程只讀存儲(chǔ)器 (PROM)，閃存存儲(chǔ)器(Flash)和可擦除可編程只讀寄存器(EPROM/EEPROM)等。

在這么多種類(lèi)種，目前主要由：DRAM 和 NAND Flash ，這兩種占據(jù)主要存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)。

據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，22Q4 全球 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模為121.55 億美元，主要被：三星、SK 海力士等三家巨頭壟斷，三家市場(chǎng)份額合計(jì)高達(dá) 95.8%。

機(jī)構(gòu)：三季度存儲(chǔ)芯片平均單價(jià)有望上漲5%-10%

9月4日，研究機(jī)構(gòu)野村最新報(bào)告指出，第三季主要存儲(chǔ)芯片價(jià)格已趨穩(wěn)定或上升，價(jià)格較高的HBM、DDR5和LPDDR5X組合增加，使存儲(chǔ)芯片平均單價(jià)有望上漲5%-10%。但DDR4和NAND領(lǐng)域需求仍疲弱，因此野村預(yù)期，存儲(chǔ)芯片大廠(chǎng)第四季可能擴(kuò)大減產(chǎn)，年底庫(kù)存有機(jī)會(huì)降至正常水準(zhǔn)。

未來(lái)行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展前景和投資機(jī)會(huì)在哪?欲了解更多關(guān)于行業(yè)具體詳情可以點(diǎn)擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的報(bào)告《2023-2028年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析及發(fā)展預(yù)測(cè)報(bào)告》。由中研普華研究院撰寫(xiě)，本報(bào)告對(duì)我國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)的供需狀況、存儲(chǔ)芯片發(fā)展現(xiàn)狀、存儲(chǔ)芯片子行業(yè)發(fā)展變化等進(jìn)行了分析，重點(diǎn)分析了存儲(chǔ)芯片行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對(duì)行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、存儲(chǔ)芯片行業(yè)的發(fā)展建議、存儲(chǔ)芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，以及行業(yè)的投資分析和趨勢(shì)預(yù)測(cè)等等。存儲(chǔ)芯片報(bào)告還綜合了行業(yè)的整體發(fā)展動(dòng)態(tài)，對(duì)行業(yè)在產(chǎn)品方面提供了參考建議和具體解決辦法。

存儲(chǔ)芯片行業(yè)研究報(bào)告旨在從國(guó)家經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，分析存儲(chǔ)芯片未來(lái)的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢(shì)，挖掘存儲(chǔ)芯片行業(yè)的市場(chǎng)潛力，基于重點(diǎn)細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域的深度研究，提供對(duì)產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、產(chǎn)業(yè)盈利水平等多個(gè)角度市場(chǎng)變化的生動(dòng)描繪，清晰發(fā)展方向。

在形式上，存儲(chǔ)芯片報(bào)告以豐富的數(shù)據(jù)和圖表為主，突出文章的可讀性和可視性，避免套話(huà)和空話(huà)。報(bào)告附加了與行業(yè)相關(guān)的數(shù)據(jù)、存儲(chǔ)芯片政策法規(guī)目錄、主要企業(yè)信息及存儲(chǔ)芯片行業(yè)的大事記等，為投資者和業(yè)界人士提供了一幅生動(dòng)的存儲(chǔ)芯片行業(yè)全景圖。

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