中國射頻芯片行業(yè)發(fā)展前景展望

• 李芬珍子 2023年11月7日 來源：中研網 811 49
• 繁體

中國射頻芯片行業(yè)發(fā)展前景展望

一、行業(yè)發(fā)展影響因素分析

1、有利因素

由于射頻電路難度較高，全球射頻前端芯片市場目前仍主要被美日廠商壟斷。射頻前端領域設計及制造工藝復雜、門檻極高，主要由歐、美、日等傳統大廠壟斷，而我國射頻芯片廠商依然在起步階段，市場話語權有限，各家企業(yè)在某些產品或有亮點，但是整體與國際巨頭相差甚大，但是也反映出國產射頻芯片有巨大成長空間。在中美貿易摩擦的背景下，芯片國產化程度需急劇提升，射頻芯片領域的國產替代前景廣闊。

2、不利因素

目前射頻芯片工藝節(jié)點趨勢為0.13um及65nm，通常一個頻段(或包括鄰近頻段)對應一個芯片單元(1個芯片單元可集成百個晶體管)，多個頻段需要多個芯片單元。隨著手機通信的頻段、模式增多，以及帶寬不斷增加，如今的射頻芯片需要支持十幾個通道，并滿足高帶寬、抗干擾能力強等性能要求，所以設計難度很高。射頻芯片主要壁壘技術為寄生參數、版圖寄生參數、電磁耦合干擾、模塊后的難度加劇、外部電路結構的反向影響。

二、行業(yè)發(fā)展趨勢分析

眾所周知，射頻前端芯片是移動智能終端產品的核心組成部分，追求低功耗、高性能、低成本是其技術升級的主要驅動力，也是芯片設計研發(fā)的主要方向，5G標準下現有的移動通信、物聯網通信標準將進行統一，因此未來在統一標準下射頻前端芯片產品的應用領域會被進一步放大。同時，5G下單個智能手機的射頻前端芯片價值亦將繼續(xù)上升。

在隨著全球5G世代即將來臨，持續(xù)驅動8寸與12寸晶圓廠產能需求，不僅部分晶圓廠擴產旗下8寸廠射頻SOI(RFS icon On Insulator)產能，以期能趕上強勁的市場需求，目前包括臺積電、Global Foundries、Tower Jazz及聯電等更同時擴充或導入12寸廠RFSOI制程，全力迎接第一波5G射頻芯片訂單商機。

三、行業(yè)發(fā)展前景預測

過去十幾年的時間，通訊行業(yè)經歷了從2G到3G，再由3G到4G的逐步迭代， 再從4G升級到如今的5G，更多頻段的開發(fā)和新技術的引入讓高速網絡普及，這其中就伴隨著射頻芯片的不斷升級?！睹咳肇攬蟆贩治稣J為，從實際出發(fā)，5G相比于4G增加了新頻段，而支持新頻段就需要增加配套的射頻前端芯片，這就為行業(yè)打開了需求空間。

從需求端來看，手機是射頻芯片的最大消費領域，從歷史進程來看，無線通訊網絡每升級一代， 就帶來了更多的頻段和制式，對應需要更多的射頻芯片，例如 PA (功率放大器)直接決定了手機無線通信的距離、信號質量，甚至待機時間，是整個射頻系統中除基帶外最重要的部分，手機里面PA的數量隨著2G、3G、4G、5G 的進化而向前兼容，從而帶來頻段不斷增加。5G 被引入智能手機，大量頻段被集成到一部手機，直接帶來射頻芯片用量的急劇增加。

除此之外，通訊基站同樣是射頻芯片需求量很大的一個領域?；旧漕l芯片是實現信號收發(fā)的核心芯片，隨著通訊技術升級，基站天線更加系統化和復雜化，基站天線用量也在大幅提升，每一路天線都連接濾波器、功放、射頻開關等元器件，最后通過連接器與光纖相連接，收發(fā)通道數目的增加將會帶來對這些環(huán)節(jié)需求量的提升。

國射頻芯片行業(yè)投資壁壘分析

一、資金壁壘

半導體芯片行業(yè)資金壁壘分析資金壁壘半導體行業(yè)不僅需要高精尖專業(yè)人才的支持，同時還需要機器設備的支持。目前很多半導體設備還依賴于進口，價格高昂。

二、技術壁壘

首先，射頻芯片領域技術壁壘高，需要依靠長期的經驗積累;其次，射頻芯片設計涉及的理論知識繁多復雜;再次，很多射頻芯片的指標要求都是要挑戰(zhàn)工藝極限，需要很多創(chuàng)新性的電路結構;最后，關鍵的還是工藝及封裝的物理限制或者模型的不準確性導致的難題。特別是隨著5G通信技術的普及，電子設備支持的頻段越來越多，移動網絡速度也隨之加快。在這一演進過程中隨著射頻前端器件數量不斷增加，多頻段設計復雜程度更是迎來了指數級的增加。正是因為射頻芯片如此之難，加上國內廠商又錯失了先發(fā)優(yōu)勢，這就讓射頻芯片成為了一個被海外廠商壟斷的市場。

三、客戶壁壘

卓勝微的開關和LNA，依靠著大客戶壁壘和供應鏈壁壘占了70%份額，剩余30%的份額任由7~8家公司去爭搶。2021年國內前十大手機客戶端PA采購金額近200億元，國外廠商市占率為70%左右。唯捷創(chuàng)芯占有率為15%，慧智微、昂瑞微、卓勝微、銳石創(chuàng)芯和飛驤科技共占市場15%的份額。

射頻芯片架構包括接收通道和發(fā)射通道兩大部分。對于現有的GSM和TD-SCDMA模式而言，終端增加支持一個頻段，則其射頻芯片相應地增加一條接收通道，但是否需要新增一條發(fā)射通道則視新增頻段與原有頻段間隔關系而定。對于具有接收分集的移動通信系統而言，其射頻接收通道的數量是射頻發(fā)射通道數量的兩倍。這意味著終端支持的LTE頻段數量越多，則其射頻芯片接收通道數量將會顯著增加。例如，若新增M個GSM或TD-SCDMA模式的頻段，則射頻芯片接收通道數量會增加M條;若新增M個TD-LTE或FDDLTE模式的頻段，則射頻芯片接收通道數量會增加2M條。LTE頻譜相對于2G/3G較為零散，為通過FDDLTE實現國際漫游，終端需支持較多的頻段，這將導致射頻芯片面臨成本和體積增加的挑戰(zhàn)。

為減小芯片面積、降低芯片成本，可以在射頻芯片的一個接收通道支持相鄰的多個頻段和多種模式。當終端需要支持這一個接收通道包含的多個頻段時，需要在射頻前端增加開關器件來適配多個頻段對應的接收SAW濾波器或雙工器，這將導致射頻前端的體積和成本提升，同時開關的引入還會降低接收通道的射頻性能。因此，如何平衡射頻芯片和射頻前端在體積、成本上的矛盾，將關系到整個終端的體積和成本。

《2023-2028年中國射頻芯片行業(yè)市場深度調研與競爭預測報告》由中研普華射頻芯片行業(yè)分析專家領銜撰寫，主要分析了射頻芯片行業(yè)的市場規(guī)模、發(fā)展現狀與投資前景，同時對射頻芯片行業(yè)的未來發(fā)展做出科學的趨勢預測和專業(yè)的射頻芯片行業(yè)數據分析，幫助客戶評估射頻芯片行業(yè)投資價值。

• 相關深度報告REPORTS

  

  2023-2028年中國射頻芯片行業(yè)市場深度調研與競爭預測報告

  射頻芯片指的就是將無線電信號通信轉換成一定的無線電信號波形，并通過天線諧振發(fā)送出去的一個電子元器件，它包括功率放大器、低噪聲放大器和天線開關。射頻芯片架構包括接收通道和發(fā)射通道兩大...

  查看詳情

延伸閱讀

推薦閱讀

猜您喜歡