意法半導(dǎo)體制造8寸碳化硅晶圓 2021碳化硅單晶片應(yīng)用領(lǐng)域和市場空間

• 2021年7月30日 HuangJiang來源：新浪 471 24
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意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布，ST瑞典北雪平工廠制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片，SiC晶圓升級到200mm標(biāo)志著ST面向汽車和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃取得重要的階段性成功。碳化硅器件具備廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域和市場空間， 2019年全球碳化硅功率器5

意法半導(dǎo)體制造8寸碳化硅晶圓 2021碳化硅單晶片應(yīng)用領(lǐng)域和市場空間

碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是支撐新能源汽車發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。其中碳化硅功率模塊是新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，具備耐高壓、耐高溫、高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗等特點(diǎn)，對整車的主要技術(shù)指標(biāo)和整體性能有著重要影響。

7月30日消息，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布，ST瑞典北雪平工廠制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。SiC晶圓升級到200mm標(biāo)志著ST面向汽車和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃取得重要的階段性成功。

意法半導(dǎo)體的首批200mm SiC晶圓片質(zhì)量上乘，影響芯片良率和晶體位錯(cuò)的缺陷非常少。低缺陷率的取得離不開意法半導(dǎo)體碳化硅公司(前身是Norstel公司，2019年被ST收購)在SiC硅錠生長技術(shù)開發(fā)方面的深厚積累和沉淀。除了晶圓片滿足嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)外，SiC晶圓升級到200mm還需要對制造設(shè)備和整體支持生態(tài)系統(tǒng)進(jìn)行升級更換。意法半導(dǎo)體正在與供應(yīng)鏈上下游技術(shù)廠商合作開發(fā)自己的制造設(shè)備和生產(chǎn)工藝。

隨著汽車產(chǎn)業(yè)向電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化不斷升級，市場對汽車芯片的需求快速增長。在疫情等多方因素影響下，全球半導(dǎo)體芯片供應(yīng)出現(xiàn)短缺潮，并波及汽車產(chǎn)業(yè)。

碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料，作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，與硅的主要差別在禁帶寬度上，這讓同性能的碳化硅器件尺寸縮小到硅基的十分之一，能量損失減少了四分之三，成為制備高壓及高頻器件新的襯底材料。

碳化硅器件具備廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域和市場空間， 2019年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模為5.41億美元，預(yù)計(jì)2025年將增長至25.62億美元，年化復(fù)合增速約30%。

自去年下半年以來，全球晶圓代工產(chǎn)能出現(xiàn)了持續(xù)的緊缺，特別是8吋晶圓制造產(chǎn)能尤為緊缺。由于功率半導(dǎo)體主要依賴于8英寸晶圓制造產(chǎn)能，再加上電動(dòng)汽車出貨的持續(xù)增長，對于功率半導(dǎo)體器件的需求激增，導(dǎo)致功率半導(dǎo)體出現(xiàn)了嚴(yán)重的缺貨、價(jià)格暴漲。

今年2月份，國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商士蘭微發(fā)布了部分產(chǎn)品品類漲價(jià)通知，包括 MOS 類、IGBT、SBD、FRD、功率對管等均開始調(diào)價(jià)。英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美、安世半導(dǎo)體(已被聞泰科技收購)等頭部的功率半導(dǎo)體大廠也再度將產(chǎn)品的價(jià)格上調(diào)了10~15%。數(shù)據(jù)顯示，目前各大功率半導(dǎo)體原廠年內(nèi)訂單已全部排滿，面對上游原材料的漲價(jià)及下游旺盛的需求，各家大廠也在不斷上調(diào)價(jià)格。

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