IGBT國產(chǎn)化進程加快 2023年中國IGBT市場現(xiàn)狀分析

• 陳澤芳 2023年8月10日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 1032 65
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我國IGBT目前主要有封裝、IDM、Fabless三種發(fā)展模式，核心芯片仍主要從國外進口，因而“中國芯”問題是IGBT量產(chǎn)的核心問題，據(jù)統(tǒng)計，截至2022年我國IGBT產(chǎn)量約為19198萬只，需求量約為74709萬只。

近年來為了推動功率半導(dǎo)體行業(yè)尤其是IGBT產(chǎn)業(yè)健康快速發(fā)展，國家相關(guān)部門不僅制定了相關(guān)的一系列政策措施，還不斷加大扶持力度。其中，IGBT曾被劃為02專項重點扶持項目實施長達15年并于2021年成功收官。同時，IGBT國產(chǎn)化還是國家十四五規(guī)劃中關(guān)鍵半導(dǎo)體器件的發(fā)展重點之一。

來自市場需求持續(xù)增長和國家大量投入資金的雙重刺激，不僅吸引了一批擁有豐富IGBT經(jīng)驗的海外華人歸國，也給包括斯達半導(dǎo)、比亞迪、中車時代電氣等在內(nèi)的企業(yè)提供了掌握IGBT核心技術(shù)的機會，進一步推進IGBT國產(chǎn)化進程，早日擺脫IGBT產(chǎn)品進口依賴這一現(xiàn)狀。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國IGBT市場現(xiàn)狀分析及發(fā)展前景預(yù)測報告》顯示：

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件，是半導(dǎo)體器件的一種。IGBT可分為單管、模塊和智能功率模塊(IPM)三類產(chǎn)品，三者生產(chǎn)制造技術(shù)和下游應(yīng)用場景均有所差異：在生產(chǎn)制造技術(shù)方面，單管產(chǎn)品和IPM模塊采用環(huán)氧注塑工藝，標(biāo)準(zhǔn)模塊采用灌膠工藝;在下游應(yīng)用場景方面，單管主要應(yīng)用于小功率家用電器、分布式光伏逆變器及小功率變頻器，標(biāo)準(zhǔn)模塊主要應(yīng)用于大功率工業(yè)變頻器、電焊機、新能源汽車(電機控制器、車載空調(diào)、充電樁)等領(lǐng)域，IPM模塊主要應(yīng)用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機等白色家電。

IGBT模塊產(chǎn)業(yè)鏈主要包括IGBT芯片設(shè)計、制造、模塊封測三大部分，而根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋程度，可以行業(yè)分為IDM、Fabless和Foundry三種運作模式。其中IDM模式覆蓋了芯片設(shè)計、制造、封測三個部分;Fabless模式僅覆蓋了芯片的設(shè)計部分;Foundry模式則只覆蓋了制造、封測部分，不參與芯片設(shè)計環(huán)節(jié)。

隨著下游消費電子需求回暖，疊加汽車電子產(chǎn)業(yè)快速擴張，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度高漲帶動半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模持續(xù)擴張，據(jù)統(tǒng)計，2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將達到1076億美元，較2021年的1026億美元同比增長5%，創(chuàng)歷史記錄。分地區(qū)來看，盡管中國大陸在2022年的投資步伐同比放緩5%，但中國大陸仍連續(xù)第三年成為最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場，銷售額達283億美元中國臺灣是第二大設(shè)備支出目的地，增長8%，達268億美元。

2023年中國IGBT市場現(xiàn)狀分析

IGBT作為一種新型電力電子器件，是國際上公認的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域的核心元器件，其作用類似于人類的心臟，能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的。因此，IGBT被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”，廣泛應(yīng)用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等領(lǐng)域。近年來我國IGBT市場規(guī)模不斷增長，據(jù)統(tǒng)計，截至2022年我國IGBT市場規(guī)模約為220.23億元，其中汽車IGBT領(lǐng)域市場規(guī)模約為77.24億元，工控及其他領(lǐng)域IGBT市場規(guī)模約為142.99億元。

受益于新能源汽車、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的需求大幅增加，IGBT成為目前發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。IGBT屬于高端的功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，行業(yè)準(zhǔn)入門檻高，我國IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚，但在政策的鼓勵下，我國IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，技術(shù)水平屢屢有新的突破，已有產(chǎn)品可以大批量滿足下游應(yīng)用客戶的需求，提高IGBT器件國產(chǎn)替代率指日可待。我國IGBT目前主要有封裝、IDM、Fabless三種發(fā)展模式，核心芯片仍主要從國外進口，因而“中國芯”問題是IGBT量產(chǎn)的核心問題，據(jù)統(tǒng)計，截至2022年我國IGBT產(chǎn)量約為19198萬只，需求量約為74709萬只。

盡管我國擁有最大的功率半導(dǎo)體市場，但是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國際大公司相比還存在很大差距，特別是IGBT等高端器件差距更加明顯。IGBT核心技術(shù)掌握在發(fā)達國家企業(yè)手中，跟國內(nèi)廠商相比，英飛凌、三菱電機等國際龍頭具有強勢的品牌效應(yīng)。不過隨著國內(nèi)IGBT技術(shù)的發(fā)展，也涌現(xiàn)了比亞迪半導(dǎo)體、斯達半導(dǎo)等頭部企業(yè)，具有較強的品牌效應(yīng)。

由于IGBT行業(yè)存在技術(shù)門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難，國內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化進程中一直進展緩慢。隨著全球制造業(yè)向中國的轉(zhuǎn)移，中國已逐漸成為全球最大的IGBT市場，IGBT國產(chǎn)化需求已是刻不容緩。在市場需求的吸引下，一批具備IGBT相關(guān)經(jīng)驗的海外華人歸國投身IGBT行業(yè)，同時國家大量資金流入IGBT行業(yè)，我國IGBT產(chǎn)業(yè)化水平有了一定提升，部分企業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，IGBT國產(chǎn)化的進程加快。

本報告由中研普華的資深專家和研究人員通過長期周密的市場調(diào)研，參考國家統(tǒng)計局、國家商務(wù)部、國家發(fā)改委、國務(wù)院發(fā)展研究中心、行業(yè)協(xié)會、中國行業(yè)研究網(wǎng)、全國及海外專業(yè)研究機構(gòu)提供的大量權(quán)威資料，并對多位業(yè)內(nèi)資深專家進行深入訪談的基礎(chǔ)上，通過與國際同步的市場研究工具、理論和模型撰寫而成。全面而準(zhǔn)確地為您從行業(yè)的整體高度來架構(gòu)分析體系。讓您全面、準(zhǔn)確地把握整個IGBT行業(yè)的市場走向和發(fā)展趨勢。更多行業(yè)詳情請點擊中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國IGBT市場現(xiàn)狀分析及發(fā)展前景預(yù)測報告》。

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