大廠減產(chǎn)效果顯現(xiàn) NAND漲價再超預期 3D堆疊成未來發(fā)展方向 閃存卡行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

• 李波 2023年11月30日 來源：中研普華集團、央視財經(jīng)、中研網(wǎng) 219 6
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據(jù)中國臺灣媒體工商時報報道，存儲芯片大廠減產(chǎn)保價策略十分奏效，四季度合約價報價優(yōu)于市場預期，其中DDR5上漲15-20%，DDR4上漲10-15%，DDR3上漲10%，而原先預估僅5-10%。同時，NAND每家平均漲幅至少在20-25%，漲幅明顯更高。

據(jù)中國臺灣媒體工商時報報道，存儲芯片大廠減產(chǎn)保價策略十分奏效，四季度合約價報價優(yōu)于市場預期，其中DDR5上漲15-20%，DDR4上漲10-15%，DDR3上漲10%，而原先預估僅5-10%。同時，NAND每家平均漲幅至少在20-25%，漲幅明顯更高。

此前為應對存儲器價格持續(xù)下行，三星、美光、海力士等存儲大廠通過縮減資本開支來控制行業(yè)產(chǎn)能，減少虧損幅度。東莞證券表示，進入四季度，在晶圓廠大力控產(chǎn)和手機等下游需求超預期等等多重因素影響下，廠商減產(chǎn)效應開始顯現(xiàn)，部分存儲芯片價格出現(xiàn)強勁反彈。

甬興證券也表示，從NAND盈利角度來看，原廠控制存儲供應并強勢漲價是大勢所趨，現(xiàn)貨市場 NAND 供應趨緊、價格緩漲的市況在一段時間里或成為常態(tài)。

此外，隨著市場對NAND容量擴展的要求，3D堆疊技術已成為NAND Flash發(fā)展的主要方向，廣發(fā)證券[000776.SZ、01776.HKEX]指出，高深寬比刻蝕是3D NAND的核心技術環(huán)節(jié)。

隨著本土晶圓產(chǎn)能的持續(xù)擴張，國產(chǎn)半導體設備廠商有望依托自身的產(chǎn)品競爭力、廣闊的份額增長空間和品類擴張能力，加速提升相關領域的份額國產(chǎn)化替代。

公司方面，據(jù)上市公司互動平臺表示，東芯股份：公司是國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND、NOR、DRAM完整解決方案的公司。德明利：主營NAND主控+模組等。

數(shù)字經(jīng)濟快速發(fā)展帶來存儲行業(yè)新增長點，數(shù)字經(jīng)濟已上升至國家戰(zhàn)略高度，“十四五”規(guī)劃綱要將“加快數(shù)字化發(fā)展，建設數(shù)字中國”單獨成篇，并首次提出數(shù)字經(jīng)濟核心產(chǎn)業(yè)增加值占GDP比重這一新經(jīng)濟指標，目標到2025年我國數(shù)字經(jīng)濟核心產(chǎn)業(yè)增加值占GDP比重由2020年的7.8%提升至10%。

據(jù)華為官網(wǎng)，在華為全聯(lián)接大會2023巴黎站上，華為董事、ICT產(chǎn)品與解決方案總裁楊超斌正式發(fā)布OceanStor Pacific 9920和OceanStor Dorado 2100兩款全閃存新品。

NAND Flash存儲器是Flash存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了高性價比、高性能的解決方案。NandFlash存儲器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點。

Yole預計，中國作為全球第二大Nand閃存需求地區(qū)，預計2026年國內(nèi)閃存產(chǎn)品市場規(guī)模將達3032億元，國內(nèi)模組廠商將擁有十分廣闊的成長空間。方正證券研報指出，預計隨著2023年下半年國內(nèi)手機品牌開始陸續(xù)推出新品、PC需求復蘇以及新服務器平臺的加速滲透，原廠出貨壓力將逐步緩解，存儲產(chǎn)品價格拐點已至。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年國內(nèi)閃存卡行業(yè)發(fā)展趨勢及發(fā)展策略研究報告》顯示：

閃存卡是利用閃存技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數(shù)碼相機，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存儲介質(zhì)，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為閃存卡。

閃存技術快速發(fā)展，助力傳統(tǒng)存儲突破性能瓶頸，支撐企業(yè)用戶關鍵業(yè)務應用?；陂W存技術的固態(tài)硬盤(SSD)具備高性能、高可靠、低延遲、低功耗等優(yōu)點，能夠快速響應企業(yè)用戶需求，已逐漸取代機械硬盤(HDD)成為下一代主流數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。

隨著主流存儲介質(zhì)從HDD向SSD切換，基于高性能SSD打造的全閃存存儲將成為未來主流的數(shù)據(jù)中心存儲。全閃存存儲系統(tǒng)可以提供百萬級的IOPS以及毫秒級的延遲，具備較高的安全性和穩(wěn)定性，已在金融聯(lián)機交易系統(tǒng)、醫(yī)療HIS系統(tǒng)、運營商BOSS系統(tǒng)等關鍵重載業(yè)務領域得到較好的應用。

全球NAND閃存卡行業(yè)一直被三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù) (閃迪)、美國、英特爾和海力士六大廠商壟斷競爭。

閃存卡行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

隨著云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能等技術快速發(fā)展，閃存存儲憑借其高速、高效、高可靠性的特點，可以更好地滿足日益增長的性能和效能需求。

閃存卡的數(shù)據(jù)傳輸速度，主要取決于閃存芯片的讀寫速度和控制器的性能。閃存芯片的讀寫速度，受到閃存芯片的制造工藝、芯片結(jié)構(gòu)、電路設計等因素的影響。

而控制器則負責管理閃存芯片的讀寫操作，以及數(shù)據(jù)的緩存、加密、校驗等功能，控制器的性能越好，閃存卡的數(shù)據(jù)傳輸速度就越快。

閃存卡目前已經(jīng)廣泛應用于各種電子設備中，包括數(shù)碼相機、手機、平板電腦等。隨著科技的發(fā)展，閃存卡還將進一步發(fā)展壯大。

手機攝影日益流行，高清視頻和大型應用程序的使用也呈上升趨勢，使得用戶對于大容量的閃存卡的需求不斷增加。此外，隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)和智能設備的普及，對小型高性能閃存卡的需求也在增加。

進口閃存卡主要來自于國外制造商，如韓國、日本、美國等國家。這些國家在閃存卡制造技術方面具有較高的水平，因此，我國市場對進口閃存卡的需求量較大。此外，進口閃存卡在品質(zhì)、性能等方面具有一定的優(yōu)勢，這也是我國消費者選擇進口閃存卡的原因之一。

近年來，隨著國內(nèi)閃存卡產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，我國已經(jīng)具備了一定的生產(chǎn)能力和技術水平，部分企業(yè)的產(chǎn)品在國際市場上具有競爭力。此外，隨著國內(nèi)市場對閃存卡需求的不斷增長，出口閃存卡成為了我國企業(yè)拓展市場的重要途徑。

然而，出口閃存卡面臨的競爭壓力也不容忽視，尤其是在國際市場上，我國企業(yè)需要不斷提高產(chǎn)品的質(zhì)量和技術含量，以應對來自其他國家的競爭。

2021年中國全閃存陣列(AFA)市場規(guī)模約13億美元，同比增速超存儲市場整體;預計每年將以20%的復合增長率增長，到2025年實現(xiàn)市場規(guī)模翻倍。

未來，市場需求將不斷擴大，閃存卡的容量、讀寫速度和穩(wěn)定性等方面也將不斷提升。此外，隨著物聯(lián)網(wǎng)和5G時代的到來，閃存卡的應用范圍也將進一步擴大，成為各類智能設備和系統(tǒng)中不可或缺的重要組成部分。

本研究咨詢報告由中研普華咨詢公司領銜撰寫，在大量周密的市場調(diào)研基礎上，主要依據(jù)了國家統(tǒng)計局、國家商務部、國家發(fā)改委、國家經(jīng)濟信息中心、國務院發(fā)展研究中心、國家海關總署、全國商業(yè)信息中心、中國經(jīng)濟景氣監(jiān)測中心、中國行業(yè)研究網(wǎng)、全國及海外多種相關報紙雜志的基礎信息等公布和提供的大量資料和數(shù)據(jù)，客觀、多角度地對中國閃存卡市場進行了分析研究。

在激烈的市場競爭中，企業(yè)及投資者能否做出適時有效的市場決策是制勝的關鍵。報告準確把握行業(yè)未被滿足的市場需求和趨勢，有效規(guī)避行業(yè)投資風險，更有效率地鞏固或者拓展相應的戰(zhàn)略性目標市場，牢牢把握行業(yè)競爭的主動權(quán)。

想要了解更多行業(yè)詳情請點擊中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年國內(nèi)閃存卡行業(yè)發(fā)展趨勢及發(fā)展策略研究報告》。

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  2023-2028年國內(nèi)閃存卡行業(yè)發(fā)展趨勢及發(fā)展策略研究報告

  閃存卡研究報告對行業(yè)研究的內(nèi)容和方法進行全面的闡述和論證，對研究過程中所獲取的資料進行全面系統(tǒng)的整理和分析，通過圖表、統(tǒng)計結(jié)果及文獻資料，或以縱向的發(fā)展過程，或橫向類別分析提出論點...

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