中國大陸撐起光刻機(jī)巨頭營收 光刻機(jī)行業(yè)市場現(xiàn)狀及前景趨勢分析

• 方蔓桃 2024年5月27日 來源：百度 225 6
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從光刻機(jī)的產(chǎn)業(yè)鏈來看，上游主要為光刻機(jī)生產(chǎn)所需的零件、組件和設(shè)備等，光刻機(jī)涉及的內(nèi)部零件種類眾多，且越高端的光刻機(jī)組成越復(fù)雜，如EUV內(nèi)部零件多達(dá)8萬件以上，其核心組件包括光源系統(tǒng)、雙工作臺、物鏡系統(tǒng)、對準(zhǔn)系統(tǒng)、曝光系統(tǒng)、浸沒系統(tǒng)、光柵系統(tǒng)等，其中光源、

今年一季度，ASML來自中國大陸的營收占比高達(dá)49%，而該公司以往的最大市場中國臺灣和韓國占比則保持在低位，分別只有6%和19%。截至今年一季度，中國大陸已連續(xù)三個季度成為ASML最大市場，營收占比分別為46%、39%和49%，相比之下去年一季度只有8%，二季度為24%。

光刻機(jī)行業(yè)市場現(xiàn)狀分析

國家開始重視光刻機(jī)的研發(fā)，如今中國在逐步縮小和國際光刻機(jī)巨頭的差距。目前國內(nèi)光刻機(jī)市場規(guī)模較小，但是隨著國家政策的支持和技術(shù)水平的提高，中國光刻機(jī)市場具有很大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

從光刻機(jī)的產(chǎn)業(yè)鏈來看，上游主要為光刻機(jī)生產(chǎn)所需的零件、組件和設(shè)備等，光刻機(jī)涉及的內(nèi)部零件種類眾多，且越高端的光刻機(jī)組成越復(fù)雜，如EUV內(nèi)部零件多達(dá)8萬件以上，其核心組件包括光源系統(tǒng)、雙工作臺、物鏡系統(tǒng)、對準(zhǔn)系統(tǒng)、曝光系統(tǒng)、浸沒系統(tǒng)、光柵系統(tǒng)等，其中光源、晶圓曝光臺、物鏡和對準(zhǔn)系統(tǒng)的技術(shù)門檻較為顯著。因此，光刻機(jī)企業(yè)往往具備高外采率、與供應(yīng)商共同研發(fā)的特點(diǎn)，而其下游應(yīng)用主要包括芯片制造、功率器件制造、芯片封裝等。

隨著半導(dǎo)體市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模也將持續(xù)擴(kuò)容。盡管2022年全球經(jīng)濟(jì)下滑明顯，下游需求受到顯著影響，半導(dǎo)體設(shè)備市場仍在增長，達(dá)到1076.4億美元的規(guī)模。在半導(dǎo)體設(shè)備的蓬勃發(fā)展態(tài)勢下，未來光刻機(jī)的發(fā)展空間也較為廣闊。

全球光刻機(jī)市場的主要競爭公司為ASML、Nikon和Canon，其中ASML占據(jù)絕對霸主地位。2022年該三家廠商市場份額占比分別為82.14%、10.2%和7.65%，以ASML為首形成壟斷格局。其中，超高端光刻機(jī)EUV領(lǐng)域中ASML獨(dú)占鰲頭，高端光刻機(jī)ArFi和ArFdry領(lǐng)域也主要由ASML占領(lǐng)，Canon主要集中在i-line光刻機(jī)領(lǐng)域，Nikon除EUV外均有涉及。

我們的報告《2024-2029年光刻機(jī)行業(yè)市場深度分析及發(fā)展規(guī)劃咨詢綜合研究報告》分析

2020年起，疫情導(dǎo)致電子產(chǎn)品需求增加，新能源車滲透率提升等事件的影響，全球半導(dǎo)體市場步入景氣周期。據(jù)ICInsights統(tǒng)計(jì)，2020-2022年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)將從4926億美元增長到6548億美元。在此期間，晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，光刻機(jī)交付周期不斷延長。為保證設(shè)備交付，各晶圓廠紛紛提前下單訂購設(shè)備，進(jìn)一步推升了光刻機(jī)的銷量。

。隨著芯片制程不斷升級，所需光刻機(jī)種類發(fā)生變化;邏輯制程從5納米節(jié)點(diǎn)開始，必須使用EUV光刻機(jī)，光刻設(shè)備開支占比明顯提升;DRAM芯片從1A節(jié)點(diǎn)開始逐步采用EUV光刻機(jī);3DNAND芯片由于多層疊堆技術(shù)的發(fā)明，仍使用較老式的光刻機(jī)，光刻設(shè)備開支占比有所下降。整體上ArFi和EUV高端光刻機(jī)占比有所提升;單臺EUV光刻機(jī)售價超過1億美元，推高了平均售價。

光刻機(jī)行業(yè)市場前景趨勢分析

《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出“研發(fā)光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備，開發(fā)光刻膠、大 尺英寸硅片等關(guān)鍵材料”;《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃的通知》提出“突破28納米浸沒式光刻機(jī)及核心部件”等政策規(guī)劃為光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了良好的政策發(fā)展環(huán)境。

2022年11月15日，國家知識產(chǎn)權(quán)局公布了華為的一項(xiàng)新專利“反射鏡、光刻裝置及其控制方法”(CN115343915A)，這是在EUV光刻機(jī)核心技術(shù)上取得的突破性進(jìn)展。另外，華中科技大學(xué)研制的OPC系統(tǒng)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)研制的激光干涉系統(tǒng)等，也各自有所突破。同時，我國也在加快推進(jìn)14納米、7納米甚至更低節(jié)點(diǎn)的光刻機(jī)研發(fā)工作。

在當(dāng)前國際形勢下，海外對華技術(shù)制裁日益加劇，光刻機(jī)作為被重點(diǎn)限制的設(shè)備之一，其國產(chǎn)化顯得尤為迫切。國內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的突破不僅關(guān)乎產(chǎn)業(yè)安全，更是國家科技自立自強(qiáng)的重要體現(xiàn)。

鑒于光刻機(jī)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的核心地位以及全球半導(dǎo)體市場的持續(xù)擴(kuò)張趨勢，光刻機(jī)市場的規(guī)模長期看好。同時，考慮到光刻機(jī)開發(fā)的高難度和產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)壟斷性，國產(chǎn)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈具有巨大的投資潛力。在未來，隨著國內(nèi)光刻機(jī)技術(shù)的不斷突破和市場份額的逐步擴(kuò)大，投資者有望獲得可觀的回報。

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