日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(SEAJ) 13日發(fā)布市場預(yù)測，預(yù)計2021財年日本產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的銷售將比上財年增長41%，達到3兆3567億日元(約1812億元人民幣)。這一數(shù)值連續(xù)兩年增長，比去年10月時的預(yù)測值(3兆2631億日元)有所上調(diào)。
日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額增長41%
日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(SEAJ) 13日發(fā)布市場預(yù)測，預(yù)計2021財年日本產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的銷售將比上財年增長41%，達到3兆3567億日元(約1812億元人民幣)。這一數(shù)值連續(xù)兩年增長，比去年10月時的預(yù)測值(3兆2631億日元)有所上調(diào)。
根據(jù)發(fā)表的資料，22年度的銷售預(yù)測同比增長5.8%，達到3兆5500億日元(約1971億元人民幣，去年10月時的預(yù)測為3兆4295億日元)，23年度同比增長4.2%，達到3兆7000億日元(約2054億元人民幣)。
SEMI發(fā)布其年終半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額，預(yù)計2021 年原始設(shè)備制造商總銷售額將達到1030億美元，比 2020 年的行業(yè)紀錄(710億美元)猛增 44.7%。到 2022 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場將擴大到 1140 億美元。
前端(晶圓廠)和后端(組裝/封裝和測試)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)都在為全球擴張做出貢獻。2021 年晶圓廠設(shè)備行業(yè)將增長 43.8%，達到 880 億美元，包括晶圓加工、晶圓廠設(shè)施和掩模/掩模版設(shè)備;2022 年還將增長 12.4%，達到約 990 億美元。預(yù)計2023年晶圓廠設(shè)備將小幅下降-0.5%，降至984億美元。
代工和邏輯分支占晶圓廠設(shè)備總銷售額的一半以上，2021年同比增長 50%，達到 493 億美元。2022年代工和邏輯設(shè)備投資增長 17%。
企業(yè)和消費者對內(nèi)存和存儲的強勁需求推動了 DRAM 和 NAND 設(shè)備支出的增長。DRAM 設(shè)備行業(yè)在 2021 年的擴張中處于領(lǐng)先地位，將飆升52%，增長至151億美元，并在 2022 年增長 1%(153 億美元)。預(yù)計 2021 年 NAND 設(shè)備市場將增長 24%，達到192億美元;2022 年將增長 8%，達到206億美元。預(yù)計 2023 年 DRAM 和 NAND 支出將分別下降 -2% 和 -3%。
根據(jù)中研普華出版的《2021-2025年中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)供需分析及投資風險研究報告》顯示：
從地區(qū)來看，中國、韓國和中國臺灣地區(qū)預(yù)計仍將是 2021 年支出的前三大目的地。中國在 2020 年首次獲得領(lǐng)先地位。我國已成為全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備市場，約占全球35%的市場份額，但設(shè)備依賴進口，自給率低。
集成電路產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計、制造、封裝測試三個環(huán)節(jié)，其中制造需要由多種集成電路設(shè)備來實現(xiàn)。現(xiàn)在，全球晶圓廠持續(xù)擴張，對設(shè)備需求進一步加大，中國大陸地區(qū)的需求尤為強烈，2020年中國大陸地區(qū)已成為全球最大集成電路設(shè)備市場。集成電路的多層堆棧技術(shù)與鰭型柵晶體管技術(shù)的廣泛應(yīng)用導(dǎo)致對設(shè)備需求進一步加大。
集成電路制造設(shè)備按類型分為氧化/擴散爐、光刻機、刻蝕機、離子注入機、薄膜沉積設(shè)備、清洗設(shè)備與檢測設(shè)備等。
半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模的擴大離不開對半導(dǎo)體材料的巨大需求。第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)時代而生，以碳化硅、氮化鎵為代表的材料可以制備耐高壓、高頻的功率器件，其中碳化硅是綜合性能最好、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料。
碳化硅并非原有技術(shù)的漸進改良，而是一次跳躍式升級。相同規(guī)格下，碳化硅基MOSFET的尺寸只有硅基MOSFET的1/10，導(dǎo)通電阻是后者的1/100。與硅基IGBT相比，碳化硅基MOSFET的總能量損耗可降低70%。
碳化硅的性能優(yōu)勢在各個新能源產(chǎn)業(yè)中體現(xiàn)的淋漓盡致。應(yīng)用在風力發(fā)電領(lǐng)域，可提高效率20%。應(yīng)用在光伏逆變器，可將轉(zhuǎn)換效率從96%提升至99%以上，并且降低能量損耗超50%，提升設(shè)備循環(huán)壽命50倍。
最重要的是在新能源車上的應(yīng)用。2016年，在成本控制上近乎“變態(tài)”的特斯拉一反常態(tài)，率先在Model3的主逆變器上安了24個由意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的碳化硅MOSFET功率模塊。要知道，當時碳化硅功率器件的價格是同等硅器件的十倍。
欲了解中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展詳細分析，可點擊中研普華《2021-2025年中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)供需分析及投資風險研究報告》。研究報告以行業(yè)為研究對象，并基于行業(yè)的現(xiàn)狀，行業(yè)經(jīng)濟運行數(shù)據(jù)，行業(yè)供需現(xiàn)狀，業(yè)競爭格局，重點企業(yè)經(jīng)營分析，行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈分析，市場集中度等現(xiàn)實指標，分析預(yù)測行業(yè)的發(fā)展前景和投資價值。
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2021-2025年中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)供需分析及投資風險研究報告
我國已成為全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備市場，約占全球35%的市場份額，但設(shè)備依賴進口，自給率低。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2020年中國大陸地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備銷售規(guī)模達187.2億美元，同比增長39%，成為全球第一大2...
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