半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)構(gòu)成及行業(yè)未來發(fā)展方向分析

• 吳澳燕 2022年12月6日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 1477 98
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半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游中的重要組成部分。隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的新計(jì)算時(shí)代的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng)，同時(shí)也催生了市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體材料的需求，半導(dǎo)體材料行業(yè)迎來快速發(fā)展的黃金期。

半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游中的重要組成部分。隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的新計(jì)算時(shí)代的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng)，同時(shí)也催生了市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體材料的需求，半導(dǎo)體材料行業(yè)迎來快速發(fā)展的黃金期。

半導(dǎo)體材料包括晶圓制造材料和封裝材料。其中晶圓制造材料包括硅片、掩模版、電子氣體、光刻膠、CMP拋光材料、濕電子化學(xué)品、靶材等，封裝材料包括封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結(jié)材料和其他封裝材料。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)全景調(diào)研與發(fā)展前景預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示：

在國(guó)家鼓勵(lì)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化的政策導(dǎo)向下，本土半導(dǎo)體材料廠商不斷提升半導(dǎo)體產(chǎn)品技術(shù)水平和研發(fā)能力，逐漸打破了國(guó)外半導(dǎo)體廠商的壟斷格局，推進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，促進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，2017-2020年，全球62座新投產(chǎn)的晶圓廠中有26座來自中國(guó)大陸，占比超過40%，成為增速最快的地區(qū)。隨著我國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)的快速發(fā)展，預(yù)計(jì)2022年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)107億美元。

半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)構(gòu)成及行業(yè)未來發(fā)展方向分析

在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比為12.6%。此外，拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、濺射靶材的占比分別為7.2%、6.9%、6.1%、4%和3%。

就全球半導(dǎo)體材料區(qū)域分布情況而言，中國(guó)臺(tái)灣和中國(guó)大陸分別位列前二，分別占比22.9%和18.6%，雖然目前我國(guó)市場(chǎng)份額占比第二，但整體產(chǎn)品仍集中在中低端半導(dǎo)體材料，高端光刻膠、CMP拋光墊等仍發(fā)展較慢，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。

目前部分終端需求仍然強(qiáng)勁，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率維持歷史高位，預(yù)計(jì)全年來看結(jié)構(gòu)性缺貨狀態(tài)依舊嚴(yán)峻。據(jù) SEMI 于 2022 年 3 月 23 日發(fā)布的最新一季全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào) 告，全球用于前道設(shè)施的晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng) 18%，并在 2022 年達(dá)到 1070 億美元的歷史新高。由于半導(dǎo)體材料與下游晶圓廠具有伴生性特點(diǎn)，本土材料廠商將直 接受益于中國(guó)大陸晶圓制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。

成熟制程供需持續(xù)緊張，國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模維持高位。受益于成熟制程旺盛需求及大 陸地區(qū)穩(wěn)定的供應(yīng)鏈，大陸晶圓廠快速擴(kuò)產(chǎn)。根據(jù) SEMI 報(bào)告，2022 年全球有 75 個(gè)正 在進(jìn)行的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，計(jì)劃在 2023 年建設(shè) 62 個(gè)。2022 年有 28 個(gè)新的量產(chǎn)晶圓廠 開始建設(shè)，其中包括 23 個(gè) 12 英寸晶圓廠和 5 個(gè) 8 英寸及以下晶圓廠。分區(qū)域來看，中 國(guó)晶圓產(chǎn)能增速全球最快，預(yù)計(jì) 22 年 8 寸及以下晶圓產(chǎn)能增加 9%，12 寸晶圓產(chǎn)能增加 17%。

由于傳統(tǒng)半導(dǎo)體制程工藝已近物理極限，技術(shù)研發(fā)費(fèi)用劇增，制造節(jié)點(diǎn)的更新難度越來越大，“摩爾定律”演進(jìn)開始放緩，半導(dǎo)體業(yè)界紛紛在新型材料和器件上尋求突破。以新原理、新材料、新結(jié)構(gòu)、新工藝為特征的“超越摩爾定律”為產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來新機(jī)遇。第三代半導(dǎo)體是“超越摩爾定律”的重要發(fā)展內(nèi)容。與Si材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優(yōu)異等特點(diǎn)，特別適合于制造微波射頻器件、光電子器件、電力電子器件，是未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向。

未來三年，SiC材料將成為IGBT和MOSFET等大功率高頻功率半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)材料，被廣泛用于交流電機(jī)、變頻器、照明電路、牽引傳動(dòng)領(lǐng)域。預(yù)計(jì)到2022年SiC襯底市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到9.54億元。未來隨著5G商用的擴(kuò)大，現(xiàn)行廠商將進(jìn)一步由原先的4G設(shè)備更新至5G。5G基地臺(tái)的布建密度更甚4G，而基地臺(tái)內(nèi)部使用的材料為GaN材料，預(yù)計(jì)到2022年GaN襯底市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到5.67億元。

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