中國(guó)離子注入行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展前景預(yù)測(cè)2023

• 陳澤芳 2023年6月2日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 658 38
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離子注入的雜質(zhì)濃度分布一般呈現(xiàn)為高斯分布，并且濃度最高處不是在表面，而是在表面以內(nèi)的一定深度處。離子注入技術(shù)是一個(gè)方興未艾的新興產(chǎn)業(yè)，硬件設(shè)備的處理能力和效率有待進(jìn)一步提高，在軟件(離子注入材料表面改性技術(shù))方面，也有待進(jìn)一步深化和細(xì)化，其應(yīng)用范圍也

離子注入技術(shù)又是近30年來在國(guó)際上蓬勃發(fā)展和廣泛應(yīng)用的一種材料表面改性技術(shù)。其基本原理是：用能量為100keV量級(jí)的離子束入射到材料中去，離子束與材料中的原子或分子將發(fā)生一系列物理的和化學(xué)的相互作用，入射離子逐漸損失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。

離子注入的雜質(zhì)濃度分布一般呈現(xiàn)為高斯分布，并且濃度最高處不是在表面，而是在表面以內(nèi)的一定深度處。離子注入技術(shù)是一個(gè)方興未艾的新興產(chǎn)業(yè)，硬件設(shè)備的處理能力和效率有待進(jìn)一步提高，在軟件(離子注入材料表面改性技術(shù))方面，也有待進(jìn)一步深化和細(xì)化，其應(yīng)用范圍也有待不斷擴(kuò)大。

中國(guó)離子注入行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展前景預(yù)測(cè)2023

近年來，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展迅速。今年二十大報(bào)告提出，注重高質(zhì)量發(fā)展目標(biāo)，解決重要領(lǐng)域“卡脖子”問題至關(guān)重要。而美國(guó)對(duì)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈限制的持續(xù)加碼，也促使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)替代比率的大幅提升。

IC工藝對(duì)應(yīng)流程主要分為硅片制造、前道與后道芯片制造環(huán)節(jié)。其中，前道芯片制造是被卡脖子最嚴(yán)重的環(huán)節(jié)，設(shè)備種類最多、復(fù)雜度最高，其流程主要包含薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、氧化擴(kuò)散、CMP以及金屬化。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)1085億美金，同比增長(zhǎng)5.9%。其中，中國(guó)大陸地區(qū)為全球最大的設(shè)備市場(chǎng)，2022年市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)到320億美元。放眼國(guó)內(nèi)主制程設(shè)備、零部件以及量測(cè)設(shè)備公司，高鵠資本通過深入的產(chǎn)業(yè)鏈分析，提出創(chuàng)業(yè)公司核心壁壘與關(guān)鍵指標(biāo)的判斷標(biāo)準(zhǔn)，希望與行業(yè)內(nèi)的投資人、企業(yè)家們共同交流、探討。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，上游為IC設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備;中游為半導(dǎo)體制造、半導(dǎo)體封測(cè);下游是各種應(yīng)用領(lǐng)域。而半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵支撐，其技術(shù)的實(shí)施依賴于各種精密零部件，精密零部件的材料與加工技術(shù)是集成電路核心技術(shù)的載體，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石，幾乎貫穿了半導(dǎo)體生產(chǎn)的整個(gè)流程。隨著行業(yè)對(duì)制造設(shè)備精密零部件的性能要求越來越高，許多加工技術(shù)的精度目前已經(jīng)趨于物理極限，泛半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用是目前先進(jìn)陶瓷頂尖技術(shù)領(lǐng)域之一。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2020-2025年中國(guó)離子注入行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展前景預(yù)測(cè)與投資戰(zhàn)略規(guī)劃研究報(bào)告2020-2025年中國(guó)離子注入行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展前景預(yù)測(cè)與投資戰(zhàn)略規(guī)劃研究報(bào)告》顯示：

離子注入是指當(dāng)真空中有一束離子束射向一塊固體材料時(shí)，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個(gè)現(xiàn)象叫做濺射;而當(dāng)離子束射到固體材料時(shí)，從固體材料表面彈了回來，或者穿出固體材料而去，這些現(xiàn)象叫做散射;另外有一種現(xiàn)象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中的這一現(xiàn)象叫作離子注入。在電子工業(yè)中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術(shù)，也是控制MOSFET閾值電壓的一個(gè)重要手段。因此在當(dāng)代制造大規(guī)模集成電路中，可以說是一種必不可少的手段。

離子注入的方法就是在真空中、低溫下，把雜質(zhì)離子加速(對(duì)Si，電壓≥105 V)，獲得很大動(dòng)能的雜質(zhì)離子即可以直接進(jìn)入半導(dǎo)體中;同時(shí)也會(huì)在半導(dǎo)體中產(chǎn)生一些晶格缺陷，因此在離子注入后需用低溫進(jìn)行退火或激光退火來消除這些缺陷。離子注入的雜質(zhì)濃度分布一般呈現(xiàn)為高斯分布，并且濃度最高處不是在表面，而是在表面以內(nèi)的一定深度處。離子注入的優(yōu)點(diǎn)是能精確控制雜質(zhì)的總劑量、深度分布和面均勻性，而且是低溫工藝(可防止原來雜質(zhì)的再擴(kuò)散等)，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)(以減小電容效應(yīng))。

全球離子注入機(jī)的領(lǐng)先企業(yè)主要分布在中國(guó)、美國(guó)和日本，其中，中國(guó)大陸擁有凱世通和中科信兩家離子注入機(jī)行業(yè)的龍頭企業(yè)，凱世通在光伏離子注入機(jī)方面遙遙領(lǐng)先。而美國(guó)則擁有近乎壟斷IC離子注入機(jī)市場(chǎng)的應(yīng)用材料，以及漢辰科技、Axcelis、intevac等企業(yè)。日本也擁有日新、日本真空、住友重工等離子注入機(jī)知名廠商。

中研普華利用多種獨(dú)創(chuàng)的信息處理技術(shù)，對(duì)市場(chǎng)海量的數(shù)據(jù)進(jìn)行采集、整理、加工、分析、傳遞，為客戶提供一攬子信息解決方案和咨詢服務(wù)，最大限度地降低客戶投資風(fēng)險(xiǎn)與經(jīng)營(yíng)成本，把握投資機(jī)遇，提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。想要了解更多最新的專業(yè)分析請(qǐng)點(diǎn)擊中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的《2020-2025年中國(guó)離子注入行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展前景預(yù)測(cè)與投資戰(zhàn)略規(guī)劃研究報(bào)告》。

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