傳統(tǒng)淡季爆大單 機構預測NAND存儲芯片平均漲價高達25% 存儲芯片行業(yè)市場競爭分析報告

• 李波 2024年3月7日 來源：中研普華集團、央視財經、中研網 703 41
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據集邦咨詢研究顯示，盡管第一季為傳統(tǒng)淡季，但受惠訂單規(guī)模持續(xù)放大，激勵NAND Flash合約價平均漲幅高達25%，故預估第一季NAND Flash產業(yè)營收仍會季增兩成。

據集邦咨詢研究顯示，盡管第一季為傳統(tǒng)淡季，但受惠訂單規(guī)模持續(xù)放大，激勵NAND Flash合約價平均漲幅高達25%，故預估第一季NAND Flash產業(yè)營收仍會季增兩成。

東吳證券表示，隨著數字化的發(fā)展，智能手機、智能穿戴設備、PC、服務器等產品需求量增加，使存儲芯片成長動能充足。

其進一步指出，NAND顆粒價格均自23四季度起漲，Wafer漲價趨勢明顯，隨著海外大廠積極減產提價疊加AI催化，下游拉貨意愿強烈，存儲市場供不應求行情顯著。隨著需求的進一步回暖，漲價有望持續(xù)，量價齊升。此外，HBM、DDR5等高附加值產品滲透率逐步提升，有望拉動存儲價格進一步上漲。

另據Gartner預測，2024年全球存儲行業(yè)市場規(guī)模同比增長66.3%，增速位列半導體各細分領域第一名。其中，NAND FLASH合約價在2024年一季度到四季度分別環(huán)比上漲18-23%、3-8%、8-13%、0-5%，2024年全年有望上漲31-58%。

公司方面，據上市公司互動平臺表示，兆易創(chuàng)新： 國內存儲芯片產業(yè)龍頭，中國大陸領先的閃存芯片設計企業(yè)，閃存月產能全球前五。東芯股份：公司是國內少數可以同時提供NAND、NOR、DRAM完整解決方案的公司。

根據集邦咨詢的研究，盡管第一季度是傳統(tǒng)淡季，但由于訂單規(guī)模持續(xù)擴大，NAND Flash合約價的平均漲幅高達25%。因此，機構預測第一季NAND Flash產業(yè)營收仍會實現兩成的季度增長。東吳證券也表示，隨著數字化的發(fā)展，智能手機、智能穿戴設備、PC、服務器等產品對存儲芯片的需求量增加，使得存儲芯片的成長動能充足。

在需求進一步回暖的情況下，漲價趨勢有望持續(xù)，形成量價齊升的局面。此外，HBM、DDR5等高附加值產品的滲透率逐步提升，有望拉動存儲價格進一步上漲。

請注意，市場變化莫測，雖然目前機構對NAND存儲芯片的價格走勢有較為樂觀的預測，但實際情況仍可能受到多種因素的影響，包括供應鏈狀況、全球經濟形勢、技術革新等。因此，對于投資者和相關企業(yè)來說，需要密切關注市場動態(tài)，以便及時做出調整。

NAND閃存(NAND Flash)是一種基于Flash存儲技術的非易失性閃存芯片，其中“NAND”代表“與非門”邏輯器件，因為它采用了多個并聯的與非門電路來存儲和讀取數據。與傳統(tǒng)的Nor閃存不同，NAND閃存以頁面方式進行讀取和編程操作，使其在密集數據存儲方面擁有更高的速度和容量。NAND以閃存單元作為存儲單位，每個閃存單元可存儲多個位信息。

NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，尤其在不超過4GB的低容量應用中表現尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND正被證明極具吸引力。NAND存儲芯片廣泛應用于各個領域，包括SSD(固態(tài)硬盤)、手機、平板、服務器、USB驅動器和存儲卡等。

此外，NAND閃存芯片與SSD(Solid State Drive)有所不同。NAND是一種存儲器芯片，主要用于數據存儲，而SSD則是一種集成了控制器和NAND芯片的存儲設備，具有讀取、寫入、擦除等功能，并用于替代傳統(tǒng)機械式硬盤。

總之，NAND存儲芯片以其高速度、大容量和非易失性等特點，在現代電子設備中發(fā)揮著重要的作用，滿足了人們對于更高效、更輕便的存儲解決方案的需求。

根據中研普華產業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告》顯示：

2022年全球半導體市場規(guī)模為5740.84億美元，集成電路占比達83%，其中存儲芯片市場規(guī)模為1297.67億美元，占整個半導體行業(yè)的23%。半導體產業(yè)中，存儲芯片的市場規(guī)模僅次于邏輯芯片，行業(yè)景氣度受供需關系影響較大，呈現出較強的周期性，被視為半導體產業(yè)周期的風向標。

根據世界半導體貿易統(tǒng)計組織(WSTS)的數據，2022年存儲器市場規(guī)模1297.7億美元，同比下跌15.6%。WSTS預計2023年存儲市場規(guī)模因終端市場需求疲軟將下滑至840.4億美元，但2024年受益于經濟復蘇和供需關系改善，市場規(guī)模將同比上升43%，恢復至1203.3億美元。

存儲芯片行現狀及前景展望

存儲芯片是集成電路價值量最大的產品之一，存儲芯片行業(yè)更是關系到國民經濟和社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產業(yè)，是培育和發(fā)展新興產業(yè)、推動信息化與工業(yè)化深度融合的核心和基礎。

2023年上半年半導體行業(yè)的下行周期持續(xù)，整體市場需求疲軟，但隨著物聯網、5G、汽車電子等下游領域的繼續(xù)推動對于存儲芯片的需求，從中長期來看，市場需求將保持增勢。

根據Yole的數據，2021年存儲芯片市場規(guī)模1670億美元，預計2027年將達2630億元，21-27年復合年均增長率達8%，超越同期全球半導體市場的復合增速。

存儲行業(yè)經歷了從疫情期間“缺芯漲價”到“砍單減產”周期輪轉，雖然當前下游市場并未顯著復蘇，但在上游晶圓廠加大減產力度背景下，行業(yè)復蘇節(jié)奏有望加速，近期頻頻傳出部分存儲晶圓和產品漲價消息，供需博弈加劇。另外，第二季度存儲行業(yè)上市公司盈利環(huán)比修復，并且國產存儲廠商不僅在加速升級自研技術能力，還將目光瞄準海外市場，拓展全球影響力。

全球存儲市場中，由三星、美光、SK海力士等巨頭壟斷NAND Flash(閃存)、DRAM(內存)等存儲晶圓廠(原廠)主導供應。由于全球宏觀經濟復蘇緩慢、需求斷崖式下跌，自2022年第四季度起，國際閃存大廠鎧俠和美光等已經啟動減產，調整供給;而過往堅決不減產的三星也從今年4月份加入減產陣營，近期還宣布從9月起擴大減產幅度至50%，存儲行業(yè)供給側主動減量，并且向下游提價。

據科創(chuàng)板日報，ASML首席財務官Roger Dassen在財報視頻訪談中表示：2023年生效的出口管制規(guī)則，將影響2024年中國市場10%-15%的銷售額，然而仍可以看到終端市場中成熟制程市場的需求依舊旺盛。

從市場分類來看，存儲芯片市場將在2024迎來增長，這主要是由于制程節(jié)點的轉變，以滿足日益增長的先進存儲需求。而邏輯芯片市場，2024年將出現小幅下滑，因為今年將主要消化2023年的新增產能而非繼續(xù)增加產能。

NAND存儲芯片市場

NAND存儲芯片市場當前正處于一個充滿活力和變化的階段。隨著智能手機、智能穿戴設備、PC、服務器等產品的需求量持續(xù)增加，NAND存儲芯片的需求也呈現出強勁的增長勢頭。

據集邦咨詢等機構的研究報告，NAND Flash產業(yè)在2023年第四季度實現了顯著的營收增長，并且隨著數字化進程的加速，NAND存儲芯片的成長動能仍然充足。

從市場趨勢來看，NAND存儲芯片的價格正在經歷上漲的過程。機構預測NAND存儲芯片的平均漲價幅度高達25%，并且由于需求回暖，漲價趨勢有望持續(xù)。此外，隨著HBM、DDR5等高附加值產品的滲透率逐步提升，存儲價格有望進一步上漲，形成量價齊升的局面。

同時，市場中的主要企業(yè)也在積極調整策略以應對市場變化。例如，一些企業(yè)正在計劃提高開工率，恢復生產規(guī)模，以滿足市場需求。而另一些企業(yè)則通過研發(fā)創(chuàng)新，推出具有競爭力的新產品，以搶占市場份額。

然而，NAND存儲芯片市場也面臨著一些挑戰(zhàn)。供應鏈狀況、全球經濟形勢以及技術革新等因素都可能對市場產生影響。因此，對于投資者和相關企業(yè)來說，需要密切關注市場動態(tài)，以便及時做出調整。

綜上所述，NAND存儲芯片市場具有廣闊的發(fā)展前景和巨大的增長潛力。隨著技術的不斷進步和市場的不斷擴大，NAND存儲芯片將在未來繼續(xù)發(fā)揮重要作用，為人們的生活和工作帶來更多便利。

DRAM存儲器的市場規(guī)模

DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器)是一種半導體存儲器，其市場規(guī)模受多種因素影響，包括技術進步、應用需求、生產成本等。

DRAM存儲器的市場規(guī)模一直處于不斷擴大的趨勢，并且隨著云計算、大數據分析和人工智能等新興技術的興起，對存儲器容量和速度的要求也越來越高，進一步推動了DRAM存儲器市場的發(fā)展。

此外，移動設備的快速普及也推動了DRAM存儲器市場的發(fā)展，智能手機、平板電腦等移動設備對DRAM存儲器的需求量不斷增加。同時，隨著技術的成熟和規(guī)模效應的逐漸顯現，DRAM存儲器的生產成本不斷降低，這使得更多的企業(yè)可以進入DRAM存儲器市場，加大了市場的競爭力度，進一步推動了市場規(guī)模的增長。

然而，具體的市場規(guī)模數字會受到多種因素的影響，包括全球經濟狀況、市場供需關系、技術進步的速度等，因此很難給出一個確切的數字。

如果您需要了解最新的DRAM存儲器市場規(guī)模信息，建議查閱相關的市場研究報告或行業(yè)統(tǒng)計數據。這些資源通常會提供詳細的市場分析、市場規(guī)模預測以及競爭格局等信息，有助于您更全面地了解DRAM存儲器市場的現狀和發(fā)展趨勢。

DRAM存儲器的未來發(fā)展趨勢

DRAM存儲器的未來發(fā)展趨勢受到眾多因素的影響，包括但不限于技術進步、市場需求、生產成本以及全球經濟狀況等。以下是一些可能的發(fā)展趨勢：

技術持續(xù)進步：隨著科技的不斷發(fā)展，DRAM存儲器的技術也在不斷進步。我們預計在未來，DRAM存儲器將具有更高的存儲密度、更低的功耗、更快的存取速度以及更好的穩(wěn)定性。此外，隨著新型存儲技術的出現，如HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)等，DRAM存儲器的性能將得到進一步提升。

市場需求增長：隨著大數據、云計算、人工智能等技術的快速發(fā)展，以及智能手機、電腦、服務器等設備的普及，對DRAM存儲器的需求將持續(xù)增長。尤其是在數據中心和云計算領域，DRAM存儲器的需求量預計將持續(xù)增加。

生產成本優(yōu)化：隨著生產工藝的改進和規(guī)模效應的逐漸顯現，DRAM存儲器的生產成本有望進一步降低。這將使得DRAM存儲器在更多領域得到應用，從而進一步推動市場規(guī)模的擴大。

環(huán)保與可持續(xù)性：隨著全球對環(huán)保和可持續(xù)性的關注度不斷提高，DRAM存儲器行業(yè)也將面臨更高的環(huán)保要求。因此，未來DRAM存儲器的發(fā)展將更加注重環(huán)保和可持續(xù)性，例如采用更環(huán)保的材料和生產工藝，降低能耗和減少廢棄物等。

需要注意的是，雖然上述趨勢看起來具有積極的發(fā)展前景，但DRAM存儲器市場同樣面臨著諸多挑戰(zhàn)，如市場競爭激烈、價格波動、技術更新迅速等。因此，對于相關企業(yè)和投資者來說，需要密切關注市場動態(tài)和技術發(fā)展趨勢，以便及時調整戰(zhàn)略和應對挑戰(zhàn)。

總的來說，DRAM存儲器的未來發(fā)展趨勢是多元化的，既有技術進步帶來的性能提升，也有市場需求增長帶來的市場擴大，同時也需要關注環(huán)保和可持續(xù)性的要求。這些趨勢將共同推動DRAM存儲器行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。

本研究咨詢報告由中研普華咨詢公司領銜撰寫，在大量周密的市場調研基礎上，主要依據了國家統(tǒng)計局、國家商務部、國家發(fā)改委、國家經濟信息中心、國務院發(fā)展研究中心、工信部、中國行業(yè)研究網、全國及海外多種相關報紙雜志的基礎信息等公布和提供的大量資料和數據，客觀、多角度地對中國存儲芯片市場進行了分析研究。

更多行業(yè)詳情請點擊中研普華產業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告》。

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  2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告

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