AI帶來(lái)需求爆發(fā) 美股存儲(chǔ)龍頭業(yè)績(jī)?cè)俪A(yù)期 存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析及發(fā)展預(yù)測(cè)報(bào)告

• 李波 2024年3月21日 來(lái)源：中研普華集團(tuán)、央視財(cái)經(jīng)、中研網(wǎng) 1101 70
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隔夜美光科技公布第二財(cái)季調(diào)整后營(yíng)收58.2億美元，分析師預(yù)期53.5億美元。 預(yù)計(jì)第三財(cái)季調(diào)整后營(yíng)收64億-68億美元，分析師預(yù)期59.9億美元。 美光科技盤(pán)后漲13.2%。

隔夜美光科技公布第二財(cái)季調(diào)整后營(yíng)收58.2億美元，分析師預(yù)期53.5億美元。 預(yù)計(jì)第三財(cái)季調(diào)整后營(yíng)收64億-68億美元，分析師預(yù)期59.9億美元。 美光科技盤(pán)后漲13.2%。

美光特別提到，備受關(guān)注的高帶寬內(nèi)存(HBM)新品HBM3E將供給英偉達(dá)的AI芯片H200 Tensor Core GPU，第二財(cái)季是HBM3E首次錄得營(yíng)收的一個(gè)季度，整個(gè)2024自然年，HBM3E已無(wú)貨供應(yīng)，公司大部分2025年可供應(yīng)的HBM3E都已分配給排到2025年的訂單。

此外，隨著AI需求發(fā)展，預(yù)計(jì)2024年服務(wù)器出貨量將出現(xiàn)中個(gè)位數(shù)百分比的增長(zhǎng)。公司著力打造包含HBM3E、DDR5、LPDRAM和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤(pán)等在內(nèi)的產(chǎn)品解決方案，把握市場(chǎng)機(jī)遇。

手機(jī)方面，預(yù)計(jì)2024年手機(jī)出貨量呈小幅增長(zhǎng)。隨著AI手機(jī)逐漸推出，將帶動(dòng)每臺(tái)手機(jī)DRAM容量增加4~8GB。另外公司預(yù)計(jì)支持AI的工業(yè)PC的內(nèi)存是標(biāo)準(zhǔn)PC的3-5倍，支持AI的邊緣視頻安全攝像機(jī)的內(nèi)存容量是標(biāo)準(zhǔn)非AI攝像機(jī)的8倍。

浙商證券援引Trendforce預(yù)計(jì)，在客戶(hù)端需求持續(xù)、及原廠尚未拉升稼動(dòng)的情況下，供需缺口加大，手機(jī)端存儲(chǔ)產(chǎn)品有望成為24一季度價(jià)格領(lǐng)漲產(chǎn)品。其中，Mobile DRAM及NANDFlash(eMMC/UFS)均價(jià)漲幅將擴(kuò)大至18~23%。隨著終端需求的逐步恢復(fù)及原廠漲價(jià)策略的實(shí)施，有望帶動(dòng)行業(yè)持續(xù)修復(fù)。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院《2024-2029年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析及發(fā)展預(yù)測(cè)報(bào)告》分析：

受中美貿(mào)易戰(zhàn)等原因影響，我國(guó)正在加大力度發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片替代進(jìn)程正在加速，這將提升存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品的本土自給率，我國(guó)將會(huì)逐漸減少對(duì)存儲(chǔ)芯片的進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片銷(xiāo)量將日益增長(zhǎng)。除此之外，當(dāng)前我國(guó)疫情率先恢復(fù)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片行業(yè)的經(jīng)濟(jì)政策環(huán)境良好，未來(lái)，隨著我國(guó)政府政策引導(dǎo)和產(chǎn)業(yè)資金扶持，以及本土存儲(chǔ)芯片企業(yè)研發(fā)動(dòng)力不斷增強(qiáng)，我國(guó)存儲(chǔ)芯片出口市場(chǎng)或?qū)U(kuò)大，這也將進(jìn)一步促進(jìn)我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)大。

在信息化時(shí)代，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器作為信息存儲(chǔ)的載體，其穩(wěn)定性與安全性對(duì)國(guó)家的信息安全有著舉足輕重的意義，因而國(guó)家政策大力支持存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展。

2022年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為5740.84億美元，集成電路占比達(dá)83%，其中存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模為1297.67億美元，占整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的23%。

近六年來(lái)我國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)快速發(fā)展，且在國(guó)產(chǎn)芯片的替代和消費(fèi)電子需求快速增長(zhǎng)的背景下，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模整體擴(kuò)大。從2016年到2021年我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模從1514億元增長(zhǎng)至3383億元，平均年復(fù)合增長(zhǎng)率約為20.57%。

DRAM，全稱(chēng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory)，是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于DRAM需要刷新(refresh)來(lái)定期保存數(shù)據(jù)，它只可用作暫時(shí)存儲(chǔ)器，即計(jì)算機(jī)主存或其它需要高速訪問(wèn)的設(shè)備中的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

DRAM是最常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，人們平常所說(shuō)的電腦內(nèi)存主要就是指DRAM。它通常由DRAM晶片組成，而DRAM晶片則鑲嵌在內(nèi)存條上。DRAM具有較低的單位容量成本，而且很高的密度，因此適用于需要大容量的系統(tǒng)內(nèi)存。

DRAM的主要特點(diǎn)如下：

動(dòng)態(tài)性：DRAM存儲(chǔ)的信息并不穩(wěn)定，需要定期刷新(refresh)以維持?jǐn)?shù)據(jù)。這是因?yàn)镈RAM中的電容會(huì)隨著時(shí)間的推移逐漸放電，導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。因此，DRAM需要有一個(gè)刷新機(jī)制來(lái)定期重寫(xiě)數(shù)據(jù)。

隨機(jī)存?。篋RAM允許數(shù)據(jù)在任何時(shí)候從任何地址存取，不需要像順序存取存儲(chǔ)器那樣，必須按照一定的順序進(jìn)行存取。

高速度：DRAM的存取速度較快，因此常被用作主存或高速緩存。

容量大且成本低：由于制造工藝的改進(jìn)，DRAM的容量日益增大，成本逐漸降低，使其在大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和計(jì)算中廣泛應(yīng)用。

電壓敏感：DRAM對(duì)電壓的變化非常敏感，因此需要穩(wěn)定的電源供應(yīng)。

DRAM有幾種不同的類(lèi)型，包括同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)、雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)、四倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(QDR SDRAM)等，它們?cè)谒俣?、功耗和容量等方面有所不同，以適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。

隨著技術(shù)的發(fā)展，DRAM的容量和性能不斷提升，為現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)提供了強(qiáng)大的內(nèi)存支持。然而，DRAM也面臨著一些挑戰(zhàn)，如功耗問(wèn)題、可靠性問(wèn)題以及與其他存儲(chǔ)技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)等。因此，持續(xù)的研發(fā)和創(chuàng)新對(duì)于DRAM技術(shù)的未來(lái)發(fā)展至關(guān)重要。

DRAM行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資分析

DRAM，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中不可或缺的一部分，尤其在服務(wù)器、中高端PC及智能手機(jī)等應(yīng)用中占據(jù)重要地位。近年來(lái)，隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能等技術(shù)的快速發(fā)展，DRAM芯片的需求持續(xù)增長(zhǎng)，市場(chǎng)規(guī)模也不斷擴(kuò)大。

從市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，DRAM已經(jīng)成為存儲(chǔ)市場(chǎng)中出貨量及銷(xiāo)售額最高的產(chǎn)品。據(jù)統(tǒng)計(jì)，近年來(lái)我國(guó)DRAM行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，增長(zhǎng)率也呈現(xiàn)出逐年上升的趨勢(shì)。這主要得益于下游應(yīng)用市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，尤其是服務(wù)器和智能手機(jī)市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)。同時(shí)，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的普及，預(yù)計(jì)未來(lái)DRAM市場(chǎng)需求將持續(xù)增長(zhǎng)。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度來(lái)看，DRAM行業(yè)的上游是晶圓制造商以及封裝測(cè)試廠商，而下游則涵蓋了智能手機(jī)、個(gè)人PC、服務(wù)器等眾多終端應(yīng)用行業(yè)。這種產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)使得DRAM行業(yè)的發(fā)展受到上游供應(yīng)和下游需求的雙重影響。上游晶圓制造技術(shù)的進(jìn)步和封裝測(cè)試能力的提升，將直接推動(dòng)DRAM產(chǎn)品性能的提升和成本的降低;而下游應(yīng)用市場(chǎng)的擴(kuò)大和需求的增長(zhǎng)，則為DRAM行業(yè)的發(fā)展提供了廣闊的空間。

從競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，全球DRAM市場(chǎng)呈現(xiàn)出高度集中的態(tài)勢(shì)。幾家大型廠商占據(jù)了絕大部分市場(chǎng)份額，其中三星、海力士和美光是全球最大的DRAM制造商。這些廠商擁有先進(jìn)的制造工藝和技術(shù)，能夠生產(chǎn)出高性能、低成本的DRAM產(chǎn)品，因此在市場(chǎng)上具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。然而，隨著國(guó)內(nèi)外廠商的不斷投入和研發(fā)，未來(lái)DRAM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局有望發(fā)生變化。

在投資方面，DRAM行業(yè)具有較高的投資價(jià)值和潛力。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用市場(chǎng)的擴(kuò)大，DRAM產(chǎn)品的性能和成本將得到進(jìn)一步優(yōu)化，從而帶動(dòng)整個(gè)行業(yè)的快速發(fā)展。

此外，國(guó)家政策對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力度也在不斷加大，為DRAM行業(yè)的發(fā)展提供了良好的政策環(huán)境。然而，投資者也需要注意到DRAM行業(yè)的技術(shù)門(mén)檻較高，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，因此在投資決策時(shí)需要充分考慮技術(shù)、市場(chǎng)、政策等多方面因素。

綜上所述，DRAM行業(yè)市場(chǎng)具有廣闊的發(fā)展前景和投資潛力。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用市場(chǎng)的擴(kuò)大，DRAM產(chǎn)品將在更多領(lǐng)域得到應(yīng)用，市場(chǎng)規(guī)模也將持續(xù)增長(zhǎng)。

如果想要了解更多存儲(chǔ)芯片行業(yè)詳情分析，可以點(diǎn)擊查看中研普華研究報(bào)告《2024-2029年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析及發(fā)展預(yù)測(cè)報(bào)告》。

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  2024-2029年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析及發(fā)展預(yù)測(cè)報(bào)告

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