中國半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行狀況及市場格局分析

• 2018年11月19日 WuZhiCong來源：互聯(lián)網(wǎng) 843 52
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  行業(yè)去傳統(tǒng)因子迫在眉睫，氮化鎵(GaN) 擁抱互聯(lián)網(wǎng)才能轉(zhuǎn)型升級并獲得提升！

  氮化物半導(dǎo)體材料，也稱為氮化鎵（GaN）基材料，是繼硅（Si）、砷化鎵（GaAs）之后的第3代半導(dǎo)體材料，包含了GaN、氮化鋁（AlN）和氮化銦（InN）及它們的合金（禁帶寬度范圍為0.7-6.2eV），是直...

2015-2017年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行狀況

一、行業(yè)銷售規(guī)模

據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會支撐業(yè)分會的測算，2016年我國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模為647億元，比2015年的591億元增長9.5%。自2011年以來，我國半導(dǎo)體材料的市場規(guī)模及增長率如下圖所示。在2016年我國半導(dǎo)體材料市場中，集成電路晶圓制造材料的市場規(guī)模為330.28億元，同比增長4.2%;集成電路封裝材料的市場規(guī)模為318.0億元，同比增長16.1%。根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，2017年半導(dǎo)體材料市場規(guī)模達(dá)到711.6億元，同比增長9.83%。

圖表：2013-2017年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)市場規(guī)模及增長分析

數(shù)據(jù)來源：中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會支撐業(yè)分會、中研普華產(chǎn)業(yè)研究院

二、市場格局分析

2017年我國集成電路晶圓制造材料的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)如下圖所示。其中，硅片和硅基材料占據(jù)集成電路晶圓制造材料總體的比重最大，為36.8%，在2016年以前大部分8英寸硅單晶拋光片和全部12英寸硅單晶拋光片只能依賴進(jìn)口。近年來，隨著上海新晟半導(dǎo)體材料科技有限公司的建立和北京有研硅材料股份有限公司12英寸硅片國產(chǎn)化工程的推進(jìn)，12英寸晶圓硅片國產(chǎn)化指日可待。同時，隨著國內(nèi)金瑞泓和有研硅等8英寸硅單晶拋光片的升級和擴(kuò)產(chǎn)，國內(nèi)8英寸硅片供應(yīng)緊張狀態(tài)有所緩解。其次是電子氣體，占集成電路晶圓制造材料總體的14%。再次是掩膜版，占13.8%。目前40nm及以下特征尺寸的掩膜版還需在海外加工。

光刻膠和配套試劑合計占集成電路晶圓制造材料總體的11.7%。隨著集成電路制程微細(xì)化的快速推進(jìn)，光刻膠及其配套試劑的重要性更加凸現(xiàn)。目前，國產(chǎn)G線和I線光刻膠已有量產(chǎn)，但量產(chǎn)仍須進(jìn)一步擴(kuò)大。248nmKrF光刻膠已研制成功，但量產(chǎn)還需進(jìn)一步突破。193nmArF光刻膠目前仍在研發(fā)之中。

濕法工藝化學(xué)品、濺射靶材料和CMP拋光材料等目前已部分實現(xiàn)國產(chǎn)化，但仍須進(jìn)一步擴(kuò)大品種、增加產(chǎn)量。

圖表：2017年中國集成電路晶圓制造材料的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

數(shù)據(jù)來源：中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會支撐業(yè)分會、中研普華產(chǎn)業(yè)研究院

2017年我國集成電路封裝材料市場的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)如下圖所示。其中，引線框架占據(jù)的比重最大，達(dá)25.5%;鍵合金絲其次，占22.3%。由此可見，主要應(yīng)用引線框架和鍵合金絲的傳統(tǒng)封裝形式，如SOP、SSOP、QFP、QFN等仍占我國集成電路封裝業(yè)的主要地位。高端先進(jìn)封裝用的封裝基板和陶瓷基板，合計僅占封裝材料市場總體的28.8%。今后，隨著我國集成電路封裝業(yè)向高端先進(jìn)封裝的推進(jìn)，封裝基板和陶瓷基板的市場比重還會進(jìn)一步提升。

圖表：2017年中國集成電路封裝材料的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

數(shù)據(jù)來源：中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會支撐業(yè)分會、中研普華產(chǎn)業(yè)研究院

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