我國在應(yīng)用固態(tài)硬盤、磁硬盤、磁帶、半導(dǎo)體等數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域都面臨“卡脖子”問題，亟須構(gòu)筑存儲領(lǐng)域發(fā)展長板。當(dāng)前我國在電存儲和磁存儲領(lǐng)域尚不具備國際競爭優(yōu)勢，特別是磁盤存儲市場被美國和日本企業(yè)壟斷。當(dāng)前全球光存儲技術(shù)及產(chǎn)業(yè)尚未進(jìn)入成熟期，我國領(lǐng)軍企業(yè)與研發(fā)
公開資料顯示，截止2021年，全球DRAM總產(chǎn)能大約是150萬片/月，預(yù)測到2022年底，會提升至160萬片/月左右。
產(chǎn)業(yè)環(huán)境方面，目前閃存(NAND Flash)和內(nèi)存(DRAM)市場主要被美韓日等國外幾家企業(yè)所壟斷，如韓國三星、海力士、美國鎂光、日本東芝等，其中國際DRAM市場中，三星連續(xù)10多年蟬聯(lián)世界第一，市占率維持在60%。從全球DRAM芯片市場銷售區(qū)域來看，中國是全球第二大DRAM消費(fèi)市場，僅次于美國，市場前景較好。
2016年手機(jī)內(nèi)存需求的快速增長導(dǎo)致全球內(nèi)存芯片缺貨，而內(nèi)存條價(jià)格也跟著水漲船高，比如當(dāng)時(shí)一根DDR4 8G PC用內(nèi)存條價(jià)格一度漲到900元。據(jù)Business korea報(bào)道，內(nèi)存價(jià)格大漲的背后可能不全是市場因素，是三星、美光等存儲公司通過削減產(chǎn)量、減少供應(yīng)的方式，抬高了DRAM的價(jià)格。
由于中國擁有龐大內(nèi)需市場優(yōu)勢，目前已成為全球最大集成電路消費(fèi)市場。中國集成電路產(chǎn)業(yè)是獲得中國政府大力支持的一個(gè)戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，歷年集成電路設(shè)計(jì)公司規(guī)模持續(xù)增長及設(shè)計(jì)能力顯著提升。盡管中國集成電路設(shè)計(jì)公司的平均規(guī)模仍落后于世界頂尖的集成電路企業(yè)，但差距已日益縮小。
但是存儲器作為我國集成電路產(chǎn)業(yè)中占比最大的領(lǐng)域之一，勢必會在我國信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中扮演極為重要的角色，而云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的布局，集成電路相關(guān)政策的發(fā)布，更是為存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了市場、政策等基礎(chǔ)。
從外部發(fā)展環(huán)境來看，我國在應(yīng)用固態(tài)硬盤、磁硬盤、磁帶、半導(dǎo)體等數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域都面臨“卡脖子”問題，亟須構(gòu)筑存儲領(lǐng)域發(fā)展長板。當(dāng)前我國在電存儲和磁存儲領(lǐng)域尚不具備國際競爭優(yōu)勢，特別是磁盤存儲市場被美國和日本企業(yè)壟斷。當(dāng)前全球光存儲技術(shù)及產(chǎn)業(yè)尚未進(jìn)入成熟期，我國領(lǐng)軍企業(yè)與研發(fā)機(jī)構(gòu)有望與國際領(lǐng)先水平同步創(chuàng)新，甚至引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展方向。
從技術(shù)路線來看，全息光存儲被視為下一代光存儲技術(shù)。全息光存儲是一種高密度三維光存儲技術(shù)，采用與傳統(tǒng)二維存儲完全不同的機(jī)理。與目前存儲方式相比，全息光存儲技術(shù)將提供超過TB(太字節(jié))級的存儲容量，能夠滿足更大數(shù)據(jù)量的存儲需求，為數(shù)據(jù)的讀取提供更快的速度。
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