美國同意三星向其中國工廠提供設備 存儲芯片價格反彈前景預測

• 黃江 2023年10月10日 來源：新浪 707 42
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作為市占率第一的存儲制造商，今年以來，三星一直奉行減產(chǎn)保價戰(zhàn)略，1月、4月已連續(xù)宣布調(diào)整晶圓投入。最初的減產(chǎn)舉措主要集中在DRAM領域，之后下半年三星開始著手大幅削減NAND Flash業(yè)務產(chǎn)量，眼下正試圖推動NAND價格正?；?/p>

美國同意三星向其中國工廠提供設備

據(jù)韓聯(lián)社報道，韓國總統(tǒng)辦公室周一表示，美國已決定三星電子和SK海力士可以向其中國工廠供應芯片設備，而無需另行批準。此外三星電子將下調(diào)平澤三廠(P3)投資規(guī)模，并大砍DRAM、NAND Flash達產(chǎn)規(guī)模，其中NAND增設規(guī)模或降至原定三分之一水準。

半導體產(chǎn)業(yè)是強周期、成長性兩大特征都很明顯的典型行業(yè)，大致上遵循4到5年完成一輪盛衰轉(zhuǎn)換的規(guī)律，從谷到峰的上行周期通常1-3年時間，從峰到谷的下行周期通常1-2年時間，牛長熊短。

從近10年來DRAM、NAND Flash存儲芯片價格起伏規(guī)律來看，本輪下行周期已經(jīng)持續(xù)了一年半，根據(jù)牛長熊短的周期分布和DRAM、NAND Flash近日調(diào)漲的價格信號，當前可能已經(jīng)處于下行尾部重拾升勢的醞釀階段。

據(jù)韓媒報道，日前多位消息人士透露，三星內(nèi)部認為目前NAND Flash供應價格過低，公司計劃今年四季度起，調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價格，漲幅在10%以上;預計最快本月新合約便將采用新價格。

事實上，僅僅在上半年，三星、SK海力士、美光三大巨頭在存儲芯片領域的虧損已經(jīng)高達千億美元，如此巨額虧損迫使它們不得不采取措施，不斷提價無疑就是懸崖勒馬的自救之舉，否則前幾年的利潤積累有可能在短時間內(nèi)消耗殆盡。

作為市占率第一的存儲制造商，今年以來，三星一直奉行減產(chǎn)保價戰(zhàn)略，1月、4月已連續(xù)宣布調(diào)整晶圓投入。最初的減產(chǎn)舉措主要集中在DRAM領域，之后下半年三星開始著手大幅削減NAND Flash業(yè)務產(chǎn)量，眼下正試圖推動NAND價格正?；?。

如今DRAM已出現(xiàn)價格反彈，而NAND產(chǎn)品仍存突破空間。三星目標是擴大減產(chǎn)規(guī)模，降低供應量，再提高產(chǎn)品價格來尋求反轉(zhuǎn)，其期望明年第二季實現(xiàn)NAND盈虧平衡點。SK證券研究員Han Dong-hee認為，三星的第二波減產(chǎn)計劃和獲利優(yōu)先政策有望帶動存儲芯片價格反彈。

值得一提的是，三星9月已與客戶(包括小米、OPPO及谷歌)簽署了內(nèi)存芯片供應協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價格較之前合同價格上調(diào)10%-20%。三星電子預計，從第四季度起存儲芯片市場或?qū)⒐┎粦蟆?/p>

另外，原廠近期已通知下游廠商，Q4將調(diào)漲合約價。不同產(chǎn)品漲幅不同，但漲幅幾乎都在雙位數(shù)水平，其中NAND Flash Q4合約價有望漲一至兩成，DRAM則約漲一成。

10月初，威剛董事長陳立白表示，存儲芯片產(chǎn)業(yè)苦熬兩年，黑暗將過，2024年下半年更可能出現(xiàn)短缺。他認為，由于三大存儲芯片巨頭積極減產(chǎn)，效益開始顯現(xiàn)，NAND及DRAM近期現(xiàn)貨價皆從低谷處呈現(xiàn)雙位數(shù)反彈。目前業(yè)內(nèi)買賣雙方正在洽談合約價，陳立白估計，DRAM及NAND Flash第四季度合約價將上漲10%-15%，三星甚至計劃調(diào)漲20%，仍待觀察成交價。

韓國國際貿(mào)易協(xié)會(KITA)周二公布的數(shù)據(jù)顯示，今年第一季度韓國出口同比下降12.6%，至1515億美元。主要由于芯片出口疲軟。

報告顯示，今年第一季度，芯片和其他中間產(chǎn)品的出口下降了19.5%，與去年同期9%的增長相比出現(xiàn)了急劇轉(zhuǎn)變。特別是芯片出口同比減少了40%，鋼鐵出口減少了15.8%。

2023存儲芯片市場供需局面

今年第一季度，韓國對中國的出口比去年同期下降了近30%，對越南和日本的出口也分別減少了25.2%和10.1%。

由于存儲芯片市場持續(xù)低迷，韓國芯片制造巨頭、蘋果供應商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了創(chuàng)紀錄的季度運營虧損。不過該公司表示，各大存儲芯片制造商減產(chǎn)后，將從今年下半年開始改善市場狀況。

這家全球第二大存儲芯片制造商公布，今年一季度營業(yè)虧損3.4萬億韓元(合25.4億美元)，上年同期盈利2.9萬億韓元。這一結(jié)果符合分析師的預期。

這是SK集團自2012年收購海力士以來的最大虧損，也是繼去年第四季度虧損1.9萬億韓元后，連續(xù)兩個季度出現(xiàn)虧損。

財報顯示，該公司一季度營收同比下降58%，至5.1萬億韓元。

SK海力士表示，公司虧損進一步擴大，主要是因為全球經(jīng)濟放緩令第一季度存儲芯片供過于求的局面惡化，導致價格下跌。

盡管SK海力士錄得創(chuàng)紀錄虧損，但由于公司表示未來存儲芯片市場將反彈，該公司股價周三早盤錄得上漲，目前上漲約3%。

根據(jù)中研普華研究院《2023-2028年國內(nèi)存儲設備行業(yè)發(fā)展趨勢及發(fā)展策略研究報告》顯示：

存儲芯片的價格周期

從DRAM的價格周期看，自2012 年至今DRAM已經(jīng)經(jīng)歷了三輪周期。

*輪周期：2012年Q3至2016年Q2。其中2012年Q3至2014年Q2為周期上行，主要驅(qū)動力為智能手機爆發(fā)，對 DRAM 的需求增長;2014年Q3至2016年Q2周期下行，主要是因為各廠商擴產(chǎn)落地導致供大于求。

第二輪周期：2016年Q3至2019年Q4。其中2016年Q3至2018年Q2周期上行，主要驅(qū)動力為主要的存儲芯片廠商轉(zhuǎn)移產(chǎn)能至3D NAND Flash，DRAM 無擴產(chǎn)計劃;2018年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是中國和美國貿(mào)易摩擦導致全球下游需求萎靡，服務器、PC、筆記本電腦等需求不佳，DRAM供過于求。

第三輪周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2為周期上行，主要驅(qū)動力為疫情下，線上經(jīng)濟、居家辦公等需求拉動服務器、TV、PC 出貨激增， 5G 手機升級驅(qū)動單機容量升級，帶動 DRAM 價格回升。2021年Q3至今為周期下行，原因是隨著智能手機等消費電子需求步入低迷，存儲廠商持續(xù)去庫存。

NAND Flash與DRAM的價格周期波動情況相似，自2012年至今也經(jīng)歷了三輪周期。

從2021年下半年至今，DRAM和NAND Flash兩大內(nèi)存芯片價格已經(jīng)下跌長達20個月。各存儲芯片廠商正在集中減產(chǎn)、應對庫存問題、節(jié)約資本開支，并推遲先進技術(shù)的進展，以應對存儲器需求的疲軟。

為了應對 3DNAND 和 DRAM 內(nèi)存需求放緩的問題，美光宣布將DRAM和NAND晶圓產(chǎn)量減少約20%，除此之外，美光還宣布將在2023年削減30%的資本開支。

SK 海力士也宣布削減2023年的資本支出50%以上，并對收益較低的存儲產(chǎn)品進行減產(chǎn)。隨后在今年年初，有臺媒報道SK海力士已調(diào)降供國內(nèi)設施使用的晶圓產(chǎn)量10%。

鎧俠也做出了減產(chǎn)動作，調(diào)整日本四日市和北上NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，晶圓生產(chǎn)量將減少約30%。

西部數(shù)據(jù)宣布NAND閃存產(chǎn)量減少30%。

就在近日，三星一改之前堅決不減產(chǎn)的態(tài)度，宣布對存儲芯片進行減產(chǎn)。三星電子表示，將把內(nèi)存芯片產(chǎn)量削減至“合理水平”，主要以PC內(nèi)存“DDR4”等通用產(chǎn)品為中心推進。

隨著各家存儲器大廠紛紛大幅減產(chǎn)，存儲芯片供給端過?，F(xiàn)象將進一步改善。近期，從海外三大存儲巨頭的預測來看，市場情況正在出現(xiàn)微妙變化。

據(jù)美光透露，存儲芯片庫存已至高點，后續(xù)有望迎來行業(yè)拐點。雖然目前存儲價格仍在下行，但廠商庫存壓力已達到峰值，后續(xù)有望逐步下降至安全水位。

SK海力士日前在股東大會上也透露，預計存儲芯片需求將在今年下半年復蘇，但不確定性依舊存在，公司今年資本開支將減半，不會進一步減產(chǎn)。

鎧俠也認為隨著今年中國經(jīng)濟全面重啟，客戶庫存水平逐季降低，市場需求將于今年下半年復蘇。

在近日召開的CFMS 2023峰會上，中國存儲龍頭長江存儲的首席運營官程衛(wèi)華在演講中也提到，得益于智能手機、服務器和個人電腦制造商的需求訂單，全球NAND閃存市場的供需將在今年下半年達到平衡。

國產(chǎn)存儲芯片擴展到了8Gb

國產(chǎn)芯片又傳來好消息，近日，存儲芯片企業(yè)江波龍表示，其自主研發(fā)了SLC閃存芯片，容量從512Mb擴展到了8Gb。

目前，存儲芯片中DRAM與閃存合計占比達到了95%，其中DRAM占比為52%，閃存芯片中，NAND占40%，NOR3%。

NOR閃存與NAND閃存有很大的區(qū)別，NOR型閃存更像內(nèi)存，有獨立的地址線和數(shù)據(jù)線，但價格比較貴，容量比較小，主要用來存儲代碼及少量數(shù)據(jù)，比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內(nèi)運行，NOR閃存通常用于瘦客戶機、機頂盒、打印機和驅(qū)動器控制器。

而NAND型更像硬盤，地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線，類似硬盤的所有信息都通過一條硬盤線傳送一般，成本要低一些，而容量大得多，主要用來存儲資料。

《2023-2028年國內(nèi)存儲設備行業(yè)發(fā)展趨勢及發(fā)展策略研究報告》由中研普華研究院撰寫，本報告對該行業(yè)的供需狀況、發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展變化等進行了分析，重點分析了行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、行業(yè)的發(fā)展建議、行業(yè)競爭力，以及行業(yè)的投資分析和趨勢預測等等。報告還綜合了行業(yè)的整體發(fā)展動態(tài)，對行業(yè)在產(chǎn)品方面提供了參考建議和具體解決辦法。

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