存儲芯片行業(yè)發(fā)展前景與趨勢：全球市場基本被韓日美等國壟斷

• 李芬珍子 2023年11月7日 來源：中研網(wǎng) 627 36
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存儲芯片行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測

一、行業(yè)發(fā)展驅(qū)動因素分析

近年來，消費類芯片供過于求的市況愈加凸顯，而作為半導(dǎo)體業(yè)“大宗商品”的存儲芯片，價格也出現(xiàn)了下滑，且波動明顯。然而，在各種應(yīng)用設(shè)備和系統(tǒng)中幾乎無所不在的存儲芯片(以DRAM和NAND Flash為主)，不會像多數(shù)純消費類芯片那樣，對單一或少數(shù)類別應(yīng)用有特別高的依賴性，在消費類、高性能計算、汽車、工業(yè)等領(lǐng)域，存儲芯片都是不可或缺的，因此其發(fā)展前景依然樂觀，這也是近些年存儲芯片三巨頭始終穩(wěn)居全球半導(dǎo)體廠商營收榜單前五的原因。

二、行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測

存儲芯片，是最能考驗一個國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基本功的品類，半個世紀(jì)前的英特爾，就是以存儲器起家的，在奠定相應(yīng)的設(shè)計和制造基礎(chǔ)后，才有條件向CPU轉(zhuǎn)型。日本也是如此，上世紀(jì)80年代的鼎盛時期，全球半導(dǎo)體廠商營收排名前10當(dāng)中，有6家日本企業(yè)，其中多數(shù)都擅長存儲芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。韓國更是如此，作為后起之秀，三星憑借在存儲芯片領(lǐng)域的投資和策略，一舉超過了日本廠商，再加上SK海力士，使韓國占據(jù)了當(dāng)今全球存儲芯片市場的半壁江山。

而且，無論是從歷史，還是現(xiàn)實角度看，有行業(yè)影響力的存儲芯片廠商大都是IDM模式，晶圓代工廠的存儲芯片業(yè)務(wù)市占率很小。這一特點似乎更加符合中國擅長集中力量辦大事的國情，使得我們發(fā)展存儲芯片具備先天優(yōu)勢。相信在本土三大存儲芯片IDM的引領(lǐng)下，中國的DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)能夠穩(wěn)扎穩(wěn)打，不斷總結(jié)經(jīng)驗、吸取教訓(xùn)，把工藝技術(shù)、產(chǎn)能和良率推向新高。

存儲芯片行業(yè)發(fā)展趨勢分析

一、行業(yè)市場發(fā)展趨勢分析

1、存儲芯片迎來黃金發(fā)展期

全球內(nèi)存及閃存產(chǎn)品在國際競爭市場上，基本均被韓國、日本、美國等國壟斷。在DRAM領(lǐng)域，三星、海力士及美光為行業(yè)龍頭，在NAND領(lǐng)域，三星、東芝、新帝，海力士以及美光、英特爾共同掌握全球話語權(quán)。

當(dāng)前，中國已初步完成在存儲芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，但由于中國起步晚，且受到技術(shù)封鎖，市場份額較少，距離全面國產(chǎn)替代還有較大的發(fā)展空間。存儲芯片良好的發(fā)展態(tài)勢將為中國在這一領(lǐng)域的發(fā)展提供源源不斷的需求保障。

2、IP創(chuàng)新與自主制造

對于存儲器芯片，由于存儲器芯片制程的難點在于IP和制造，頭部廠商的主流經(jīng)營模式為IDM模式，受制于歐美日韓對中國半導(dǎo)體行業(yè)的限制，中方獲得IP的主要方式為合作授權(quán)與自主研發(fā)相結(jié)合的方式。

由于在DRAM領(lǐng)域中國廠商總體起步較晚，專利積累相對薄弱。但由于DRAM總體來說技術(shù)發(fā)展相對成熟，國際領(lǐng)先企業(yè)在研發(fā)領(lǐng)域資本投入已有所減少，這為中國廠商繼續(xù)提高資本投入已實現(xiàn)國產(chǎn)替代提供了良好的機會。在此基礎(chǔ)上中國廠商加快IP自主研發(fā)，降低成本的同時提高產(chǎn)品性能，從而在議價能力及定價彈性達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

NAND Flash的IP方面，3DNANDFlash堆疊技術(shù)自2D平面技術(shù)升級而來，由于3D堆疊技術(shù)為近年來出現(xiàn)的新技術(shù)，中國頭部企業(yè)長江存儲與國際大廠的技術(shù)差距相對較小。但在IP儲備領(lǐng)域，中國廠商仍處于弱勢地位，三星、東芝、閃迪、海力士等存儲器芯片巨頭廠商仍具有壓倒性優(yōu)勢。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移的大趨勢下，國際大廠紛紛在大陸地區(qū)設(shè)廠或增大中國大陸建廠規(guī)模。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，近四年來全球投產(chǎn)晶圓廠超60座，其中26座位于中國大陸，占全球晶圓廠比例超40%。

制造業(yè)是集成電路的核心環(huán)節(jié)，制造環(huán)節(jié)向大陸的遷移直接促進(jìn)中國存儲器芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。隨著大量晶圓廠在中國的建成，中國存儲器芯片將迎來先進(jìn)制程技術(shù)的突破與成熟。

二、行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢分析

3D化是當(dāng)前NAND閃存推動發(fā)展的主要趨勢，DRAM制造商展開納米競爭。從主要存儲芯片發(fā)展趨勢來看，DRAM的技術(shù)發(fā)展路徑是以微縮制程來提高存儲密度。制程工藝進(jìn)入20nm之后，制造難度大幅提升，內(nèi)存芯片廠商對工藝的定義從具體的線寬轉(zhuǎn)變?yōu)樵诰唧w制程范圍內(nèi)提升二或三代技術(shù)來提高存儲密度。譬如，1X/1Y/1Z是指10nm級別第一代、第二代、第三代技術(shù)。目前市場上DRAM的應(yīng)用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm，三星、美光、海力士等巨頭廠商均已開發(fā)出1Znm制程的DRAM。

NAND Flash制程已經(jīng)達(dá)到極限，目前，廠商們另辟蹊徑從2D轉(zhuǎn)向3D發(fā)展，目的是通過增加芯片的堆疊層數(shù)來獲得更大的存儲容量，而堆疊層數(shù)增加意味著光刻次數(shù)也隨之增加。隨著新科技如人工智能、AR/VR、物聯(lián)網(wǎng)崛起以及下游消費電子、汽車電子的強勁需求，全球半導(dǎo)體需求有望得到復(fù)蘇，推動存儲芯片需求上升。

從中國市場來看，以智能手機、計算機等消費電子領(lǐng)域和云計算、大數(shù)據(jù)等高新科技技術(shù)領(lǐng)域為代表的存儲芯片應(yīng)用推動了存儲芯片市場需求增長。此外，在中美貿(mào)易戰(zhàn)中，美國通過多種方式限制對華出口高科技產(chǎn)品。受此影響，中國加大力度發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)，國產(chǎn)存儲芯片的發(fā)展勢頭更加迅猛，一些企業(yè)對國產(chǎn)存儲芯片的替代也更加迫切。

中國政府通過政策引導(dǎo)和產(chǎn)業(yè)資金扶持，鼓勵本土存儲芯片企業(yè)加強技術(shù)研發(fā)，以減少與國外企業(yè)的差距，實現(xiàn)中國存儲芯片自主研發(fā)，加快國產(chǎn)替代進(jìn)口。隨著本土存儲芯片企業(yè)研發(fā)動力不斷增強，中國有望在5年內(nèi)提高存儲芯片技術(shù)水平，提升產(chǎn)品本土自給率。

三、行業(yè)企業(yè)競爭趨勢分析

目前，DRAM芯片的市場格局是由三星、SK海力士和美光統(tǒng)治，三大巨頭市場占有率合計已超過95%，而三星一家公司市占率就已經(jīng)逼近50%。寡頭壟斷的格局使得中國企業(yè)對DRAM芯片議價能力很低，也使得DRAM芯片成為我國受外部制約最嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一。NAND Flash經(jīng)過幾十年的發(fā)展，已經(jīng)形成了由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾六大原廠組成的穩(wěn)定市場格局。自2019后其他廠商如中國的長江存儲慢慢進(jìn)入全球視線，但市占率仍然較低。

從中國存儲芯片行業(yè)競爭格局來看，市場主要由國外存儲芯片巨頭領(lǐng)導(dǎo)，細(xì)分領(lǐng)域也落后于國外及臺灣廠商(如NOR Flash的旺宏/華邦等)，但近年來國內(nèi)廠商奮力追趕，已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，逐步縮小與國外原廠的差距，其中，兆易創(chuàng)新位列NOR Flash市場前三，聚辰股份在EEPROM芯片領(lǐng)域市占率全球第三，長江存儲128層3DNAND存儲芯片，直接跳過96層，加速趕超國外廠商先進(jìn)技術(shù)。

值得注意的是，兆易創(chuàng)新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT)，意味著兆易創(chuàng)新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力，扮演中國半導(dǎo)體發(fā)展的重要角色。

《2023-2028年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告》由中研普華存儲芯片行業(yè)分析專家領(lǐng)銜撰寫，主要分析了存儲芯片行業(yè)的市場規(guī)模、發(fā)展現(xiàn)狀與投資前景，同時對存儲芯片行業(yè)的未來發(fā)展做出科學(xué)的趨勢預(yù)測和專業(yè)的存儲芯片行業(yè)數(shù)據(jù)分析，幫助客戶評估存儲芯片行業(yè)投資價值。

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